公开(公告)号：CN115224029A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210417871.8

申请日：2022-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  林新富 ,  叶宗浩

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请的实施例公开了一种集成电路(IC)器件包括在半导体主体正面上的高压半导体器件(HVSD)，并进一步包括在半导体主体背面上的电极，背面与正面相对。例如，高压半导体器件可以是晶体管或其他适当类型的半导体器件。电极具有在HVSD的正下方的一个或多个空隙。一个或多个空隙增强了电极改善HVSD的击穿电压的效果。根据本申请的其他实施例，还提供了形成集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN114725198A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210117091.1

申请日：2022-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林新富 ,  叶宗浩 ,  黄享弘

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种场效应晶体管、半导体结构及其形成方法，场效应晶体管含有半导体材料层，此半导体材料层包括源极侧掺杂阱、源极区及漏极区。浅沟槽隔离结构嵌入在此半导体材料层中且在此源极区与此漏极区之间延伸。栅极介电层覆盖在此半导体材料层上。栅电极的水平延伸部分覆盖在此栅极介电层上，且此栅电极的至少一个向下突出部分自此水平延伸部分的底表面向下延伸至此浅沟槽隔离结构的上部区。栅电极与此浅沟槽隔离结构的底表面垂直间隔开，改变半导体通道中的电场以减少热载流子注入。

公开(公告)号：CN117410278A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311253960.4

申请日：2023-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶宗浩 ,  刘建宏 ,  陈宪融 ,  汪信亨 ,  黄国钦

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体晶粒封装包括在第一半导体晶粒的组件区上的高介电常数介电层。第一半导体晶粒以晶片叠晶片(wafer on wafer，WOW)型配置方式接合在一起。硅穿孔结构贯穿组件区。高介电常数介电层具有本质负电荷极性，以提供用于调整组件区内的电位的耦合电压。特别来说，高介电常数介电层中的电子载流子吸引组件区中的电洞载流子，此抑制刻蚀容纳硅穿孔结构的凹陷时形成的表面缺陷所导致的陷阱辅助通道。据此，本文所述的高介电常数介电层减少在第一半导体晶粒的组件区中的半导体组件内的电流泄漏之可能性(及/或幅值)。

公开(公告)号：CN219961264U

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202321270948.X

申请日：2023-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张国彬 ,  丁裕伟 ,  叶宗浩 ,  曾国权 ,  黄国钦

IPC: H10N70/20

Abstract: 本揭露提供相变材料(PCM)开关，PCM开关提供一相变材料层内的改善的热约束。PCM开关可包括加热器衬垫与PCM开关的相变材料层之间的介电覆盖层，介电覆盖层经侧向约束，使得介电覆盖层的此类相对侧面、加热器衬垫可形成横向于横越该PCM开关的信号传输路径延伸的多个连续表面。自加热器衬垫通过介电覆盖层至相变材料层的热传递可主要为垂直的，最小热耗散是沿着侧向方向。相变材料的区域化加热可改善PCM开关启用较低偏压电压的效率、使PCM开关中具有中间电阻率的区的形成最小化，且改善PCM开关的寄生电容特性。

公开(公告)号：CN222827624U

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202420658070.5

申请日：2024-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李泓儒 ,  丁裕伟 ,  叶宗浩 ,  张国彬 ,  黄国钦

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 提供装置结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括设置在基底之上的第一电极和第二电极、设置在基底之上的加热元件、设置在基底之上的相变材料层以及垂直设置在加热元件和相变材料层之间的绝缘体。相变材料层至少包括第一片段和与第一片段分离的第二片段。在上视图中，第一和第二片段中的每一个都与加热元件重叠。第一和第二片段中的每一个都与第一和第二电极电连接。

公开(公告)号：CN220326177U

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202321420771.7

申请日：2023-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张国彬 ,  丁裕伟 ,  叶宗浩 ,  黄国钦

IPC: H10N70/20

Abstract: 相变装置包含具有上表面的基材。加热器结构设在基材上。加热器结构具有在加热器结构的相对边上的第一侧壁与第二侧壁。相变元件设在加热器结构上。相变元件包含三连接部。第一部设在加热器结构上。第二部设在加热器结构的第一侧壁上。第三部设在邻近加热器结构的第一侧壁且与加热器结构的第一侧壁相隔的基材的上表面的第一部上。

公开(公告)号：CN219719008U

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202321192256.8

申请日：2023-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  梁佳文 ,  黄昶智 ,  陈汉誉 ,  曾国权 ,  叶宗浩

IPC: H10N70/20

Abstract: 一种半导体结构，包含：介电绝缘层、加热器线、相变材料线、第一电极、以及第二电极。介电绝缘层具有顶表面并且位在基板上方。加热器线接触顶表面的第一区域。相变材料线包含：中间部分其覆盖加热器线、第一端部其邻接中间部分的第一侧并接触顶表面的第二区域、以及第二端部其邻接中间部分的第二侧并接触顶表面的第三区域。第一电极接触相变材料线的第一端部的侧壁并接触顶表面的第四区域。第二电极接触相变材料线的第二端部的侧壁并接触顶表面的第五区域。