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公开(公告)号：CN119923003A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411541995.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的各种实施例涉及堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。第一集成电路(IC)芯片和第二IC芯片垂直堆叠。像素传感器跨越第一和第二IC芯片。像素传感器包括位于第一IC芯片的第一传输晶体管和光电探测器，还包括位于第二IC芯片的源极跟随器晶体管、晶体管电容器和第二传输晶体管。晶体管电容器和第二传输晶体管从第一传输晶体管的源极/漏极区串联电耦合到源极跟随器晶体管的栅电极。
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公开(公告)号：CN119855263A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411953378.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种图像传感器集成芯片(IC)结构。图像传感器IC结构包括分别设置在衬底内的像素阵列的多个像素区内的多个图像感测元件。层间介电(ILD)结构设置在衬底的表面上，并围绕一个或多个互连件。多个三维(3D)电容器布置在多个像素区中的相应像素区内，并通过一个或多个互连件耦合到多个图像感测元件中的一个图像感测元件。多个3D电容器包括平行于衬底的表面延伸的基体区和沿着垂直于衬底的表面的方向从基体区向外延伸的一个或多个指状物。本申请还公开了形成图像传感器集成芯片结构的方法。
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公开(公告)号：CN118843390A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410757852.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 制造金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的方法包括：形成图案化金属层；将介电材料设置在图案化金属层上；蚀刻一或多个深沟槽以穿过介电材料到图案化金属层；在介电材料上且在介电材料中所形成的一或多个深沟槽里面沉积MIM多层；以及制造至少一个三维金属‑绝缘体‑金属(3D‑MIM)电容器，其包括沉积在一或多个深沟槽中的至少一者里面的MIM多层的一部分；以及制造至少一个第二电容器，其包含至少一个浅3D‑MIM电容器，其包括沉积在一或多个浅沟槽里面的MIM多层的一部分，一或多个浅沟槽部分穿过介电材料且比一或多个深沟槽还浅，及/或至少一个二维金属‑绝缘体‑金属(2D‑MIM)电容器，其包括沉积在介电材料上的MIM多层的一部分。
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公开(公告)号：CN118825043A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410752988.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种光学器件及其制造方法。光学器件包括第一管芯层和第二管芯层。第一管芯层包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素结构和第二像素结构；像素间隔离结构，设置在第一衬底中，并且围绕第一像素结构和第二像素结构；以及浮置扩散区，设置在第一衬底中，并且位于第一像素结构和第二像素结构之间。第二管芯层包括：第二衬底，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面；以及像素晶体管组，设置在第二衬底的第三表面上，并且电连接至第一像素结构和第二像素结构。
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公开(公告)号：CN118553752A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410162676.4
申请日：2024-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种图像传感器集成芯片结构。所述图像传感器集成芯片结构包括一个或多个逻辑器件，设置在第一衬底内并耦合到所述第一衬底上的第一互连结构。多个像素支撑器件沿着第二衬底的第一侧设置并耦合到所述第二衬底上的第二互连结构。第一衬底接合到第二衬底。多个图像感测元件在第三衬底内设置在像素区域中，像素区域分别包括所述多个图像感测元件中的两个或多个。多个传输栅极和第三互连结构设置在第三衬底的第一侧上。第三互连结构包括限制在所述第二衬底的所述第一侧与所述第三衬底的所述第一侧之间的互连线和互连通孔。本申请的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118198092A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410084734.6
申请日：2024-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例关于一种图像传感器及其形成方法，该图像传感器包括用于增强按比例缩小的具有双PD布局的像素。像素跨越第一集成电路(IC)管芯和与第一IC管芯堆叠的第二IC管芯。该像素包括在第一IC管芯中的多个光电检测器，并且还包括分开在第一IC管芯和第二IC管芯之中的多个像素晶体管。多个光电检测器被分组为一个或多个对，每个对具有双PD布局。DTI结构完全地且单独地围绕多个光电检测器，并且进一步完全延伸穿过其中布置有多个光电检测器的衬底。这样，DTI结构将多个光电检测器彼此完全分离。
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公开(公告)号：CN118073384A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410020562.6
申请日：2024-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及形成图像传感器的方法和相关器件结构。本发明的实施例提供了形成图像传感器的方法，包括从衬底的前侧在第一像素区域和第二像素区之间形成FDTI沟槽，以及填充FDTI沟槽以形成FDTI结构。在FDTI结构上方和在衬底的第一像素区域和第二像素区域上面形成覆盖层。在第一像素区域中形成第一光电二极管，并在第二像素区域中形成第二光电二极管。在FDTI结构上面的位于第一像素区域和第二像素区域之间的覆盖层内形成FD节点。FD节点可以由未被FDTI结构分隔开的一组像素区域共享，以使得需要很少的金属接触件，并且因此降低邻近金属接触件的寄生电容问题。本发明的实施例还提供了图像传感器。
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公开(公告)号：CN113078175B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010863694.7
申请日：2020-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一些实施例针对图像传感器器件。光电探测器设置在半导体衬底中，并且传输晶体管设置在光电探测器上方。传输晶体管包括传输栅极，该传输栅极具有在半导体衬底的前侧上方延伸的横向部分和延伸至半导体衬底的前侧下方第一深度的垂直部分。栅极电介质将横向部分和垂直部分与半导体衬底分隔开。背侧沟槽隔离结构从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底的前侧下方第二深度。背侧沟槽隔离结构横向围绕光电探测器，并且第二深度小于第一深度，使得传输晶体管的垂直部分的最下部与背侧沟槽隔离结构的最上部具有垂直重叠。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN117012795A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310735475.4
申请日：2023-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/78 , H04N25/772 , H04N25/77
Abstract: 本公开的各种实施例针对图像传感器。图像传感器包括接合到第二芯片的第一芯片。第一芯片包括半导体衬底。第一芯片包括第一晶体管单元和第二晶体管单元。第二晶体管单元与第一晶体管单元横向间隔开。第一衬底贯通孔(TSV)垂直延伸穿过半导体衬底。第一晶体管单元电耦接到第一TSV。第二TSV垂直延伸穿过第一半导体衬底。第二晶体管单元电耦接到第二TSV。第二芯片包括电耦接到第一TSV和第二TSV的第一读出电路。第一读出电路横向设置在第一TSV和第二TSV之间。第一读出电路被配置为从第一晶体管单元接收第一信号。本申请的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN117012794A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310716880.1
申请日：2023-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器及其形成方法。图像传感器包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一栅极位于第一区域上面。第二栅极位于第二区域上面。深沟槽隔离(DTI)结构位于衬底中并且横向地位于第一区域和第二区域之间。第一浮动扩散节点位于第一区域中。第二浮动扩散节点位于第二区域中。层间介电(ILD)结构位于衬底上方。介电结构位于ILD结构和衬底之间。介电结构横向地位于第一浮动扩散节点和第二浮动扩散节点之间。介电结构与第一栅极和第二栅极横向间隔开。介电结构位于DTI结构上面。介电结构的宽度大于DTI结构的宽度。
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