用于流体分析的盒和分析仪

    公开(公告)号:CN107703198A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201710561316.1

    申请日:2017-07-11

    CPC classification number: G01N27/4145

    Abstract: 本发明描述了流体盒和操作方法。流体盒包括具有设计为与分析仪电连接的多个接触焊盘的衬底、具有传感器阵列的半导体芯片和参考电极。流体盒包括具有入口并连接至第二流体沟道的第一流体沟道,对准第二流体沟道从而使得传感器阵列和参考电极设置在第二流体沟道内。在第一入口处设置第一插塞。第一插塞包括配置为被毛细管穿过而不会使流体通过第一插塞泄漏的柔性材料。本发明还提供了用于分析流体的分析仪。

    双栅极生物敏感场效应晶体管及阈值校准方法

    公开(公告)号:CN107064271A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201611047224.3

    申请日:2016-11-23

    CPC classification number: G01N27/4145 G01N27/4148 G01N27/414

    Abstract: 本发明的实施例提供了一种生物敏感场效应晶体管包括衬底、第一控制栅极和第二控制栅极。衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧、源极区和漏极区。在衬底的第一侧上设置第一控制栅极。在衬底的第二侧上设置第二控制栅极。第二控制栅极包括在衬底的第二侧上设置的感测膜。源极区和第二控制栅极之间偏置的电压小于第二控制栅极的阈值电压。本发明的实施例还提供了一种用于传感阵列的阈值失配校准的方法。

    生物传感器系统封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN113270390B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202110129692.X

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 生物传感器系统封装件包括:在具有正面和背面的半导体层中的晶体管结构,该晶体管结构包括沟道区;在半导体层的正面上的多层互连(MLI)结构,晶体管结构电连接到MLI结构;在MLI结构上的载体衬底;第一贯穿衬底通孔(TSV)结构,延伸穿过载体衬底并且被配置为提供MLI结构与单独管芯之间的电连接;在半导体层的背面上的埋氧(BOX)层,其中,埋氧层在沟道区的背面上具有开口,并且界面层在沟道区上方覆盖背面;以及附接到埋氧层的微流体沟道帽结构。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。

    生物传感器系统封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN113270390A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110129692.X

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 生物传感器系统封装件包括:在具有正面和背面的半导体层中的晶体管结构,该晶体管结构包括沟道区;在半导体层的正面上的多层互连(MLI)结构,晶体管结构电连接到MLI结构;在MLI结构上的载体衬底;第一贯穿衬底通孔(TSV)结构,延伸穿过载体衬底并且被配置为提供MLI结构与单独管芯之间的电连接;在半导体层的背面上的埋氧(BOX)层,其中,埋氧层在沟道区的背面上具有开口,并且界面层在沟道区上方覆盖背面;以及附接到埋氧层的微流体沟道帽结构。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。

    包括生物敏感场效应晶体管的感测电路及操作方法

    公开(公告)号:CN112578013A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202011456892.8

    申请日:2016-11-23

    Abstract: 本发明的实施例提供了一种感测电路,包括:生物敏感场效应晶体管(BioFET),该晶体管包括:衬底,具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述衬底具有源极区和漏极区,第一控制栅极,设置在所述衬底的所述第一侧上,以及第二控制栅极,设置在所述衬底的所述第二侧上,所述第二控制栅极包括在所述衬底的所述第二侧上设置的感测膜;以及存储单元,耦合至所述第一控制栅极并且配置为存储所述第一控制栅极的第一阈值电压和所述第二控制栅极的第二阈值电压之间的差值。本发明的实施例还提供了一种用于操作晶体管的方法。

    包括生物敏感场效应晶体管的感测电路及操作方法

    公开(公告)号:CN112578013B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202011456892.8

    申请日:2016-11-23

    Abstract: 本发明的实施例提供了一种感测电路,包括:生物敏感场效应晶体管(BioFET),该晶体管包括:衬底,具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述衬底具有源极区和漏极区,第一控制栅极,设置在所述衬底的所述第一侧上,以及第二控制栅极,设置在所述衬底的所述第二侧上,所述第二控制栅极包括在所述衬底的所述第二侧上设置的感测膜;以及存储单元,耦合至所述第一控制栅极并且配置为存储所述第一控制栅极的第一阈值电压和所述第二控制栅极的第二阈值电压之间的差值。本发明的实施例还提供了一种用于操作晶体管的方法。

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