公开(公告)号：CN110815980A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810928327.3

申请日：2018-08-15

Applicant: 台燿科技股份有限公司

Inventor： 刘淑芬 ,  洪金贤 ,  杨潍嵘 ,  刘昌炽

IPC: B32B15/12 ,  B32B15/14 ,  B32B15/20 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明提供一种介电复合物，其包括：至少一层第一介电层；以及至少一层第二介电层，其中该第一介电层的介电常数温度系数（TCDk）不大于-150ppm/°C，且该第二介电层的介电常数温度系数（TCDk）不小于50ppm/°C；以及该介电复合物的介电常数（Dk）不小于4，且该介电复合物的介电常数温度系数（TCDk）为0至-150ppm/°C。

公开(公告)号：CN110815980B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201810928327.3

申请日：2018-08-15

Applicant: 台燿科技股份有限公司

Inventor： 刘淑芬 ,  洪金贤 ,  杨潍嵘 ,  刘昌炽

IPC: B32B15/12 ,  B32B15/14 ,  B32B15/20 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明提供一种介电复合物，其包括：至少一层第一介电层；以及至少一层第二介电层，其中该第一介电层的介电常数温度系数（TCDk）不大于‑150 ppm/°C，且该第二介电层的介电常数温度系数（TCDk）不小于50 ppm/°C；以及该介电复合物的介电常数（Dk）不小于4，且该介电复合物的介电常数温度系数（TCDk）为0至‑150 ppm/°C。