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公开(公告)号:CN116388533A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310223453.X
申请日:2023-03-09
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种全负载范围ZVS下DAB变换器电流应力的优化方法,包括:DAB变换器工作在升降压工况下,基于三重移相TPS调制,筛选出满足零电压开通ZVS条件的6种工作模式;采用卡鲁什库恩塔克法对6种工作模式进行电流应力优化以降低变换器的导通损耗;为实现全部开关管的零电压开通ZVS,降低高频、高压应用场所的MOSFET、SiMOSFET或SIC与GaN等宽禁带器件的开关损耗,提高DAB的运行效率,优化设计控制策略的移相比,使DAB运行在全功率范围全部开关管的零电压开通ZVS场景下。本发明能实现DAB变换器在升降压工况下全负载范围全部开关管的ZVS,且满足功率双向流动场景下的应用要求。
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公开(公告)号:CN114430234A
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202210055107.0
申请日:2022-01-18
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种DAB变换器的软开关及电流应力优化方法,是DAB变换器工作在输入输出电压不匹配工作条件下,通过控制桥间移相比和桥内移相比的关系,使得变换器的全部开关管工作在零电压开通(ZVS)条件下,以降低系统的开关损耗,并以变换器全部开关管工作在零电压开通条件下作为优化前提,对电流应力作进一步的优化,使得变换器的导通损耗降低,提高系统整机效率。本发明对DAB变换器的电压传输比在1~2范围内变化时,实现全功率范围内开关管的零电压开通,DAB变换器的电压传输比在0.5~1范围内变化时,其实现全部开关管零电压开通的功率范围要比单移相控制要大,且电流应力较小。
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公开(公告)号:CN114430234B
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202210055107.0
申请日:2022-01-18
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种DAB变换器的软开关及电流应力优化方法,是DAB变换器工作在输入输出电压不匹配工作条件下,通过控制桥间移相比和桥内移相比的关系,使得变换器的全部开关管工作在零电压开通(ZVS)条件下,以降低系统的开关损耗,并以变换器全部开关管工作在零电压开通条件下作为优化前提,对电流应力作进一步的优化,使得变换器的导通损耗降低,提高系统整机效率。本发明对DAB变换器的电压传输比在1~2范围内变化时,实现全功率范围内开关管的零电压开通,DAB变换器的电压传输比在0.5~1范围内变化时,其实现全部开关管零电压开通的功率范围要比单移相控制要大,且电流应力较小。
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