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公开(公告)号：CN110790776B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911037369.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C07D519/00 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L35/24 , H01L37/02
Abstract: 本发明公开了一种电子传输型共轭小分子半导体材料，噻吩桥为给体结构的受体（A1）‑给体（D）‑受体（A2）‑给体（D）‑受体（A1）型共轭小分子半导体材料。本发明引入强缺电子双受体结构，以噻吩桥联接，保持分子良好的平面性，这类新型的A1‑D‑A2‑D‑A1型共轭小分子材料具有电子传输特性，同时在受体上引入助溶烷基链，使得共轭小分子材料具有溶液可加工性。本发明的共轭小分子半导体材料是一种可溶液加工的半导体材料，可应用于非富勒烯光伏受体材料，n‑型传输有机薄膜晶体管以及热电材料等领域。
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公开(公告)号：CN108493347B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810391450.6
申请日：2018-04-27
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺次连接的：源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极：其中，源漏电极的厚度为30纳米；有源层的厚度为60纳米到80纳米；界面修饰层的厚度6纳米到10纳米；绝缘层的厚度为300纳米；栅极的厚度为500微米。本发明通过将不同比例受体单元的给体‑受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备薄膜作为有机光电探测器的有源层，通过给体‑受体多元无规共聚物半导体中的受体单元的比例来调控有机光电探测器的光响应，实现高光暗电流比（P>106）和高光响应度(R=77A W‑1)。
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公开(公告)号：CN113421974A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110778901.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，具体涉及光电材料和器件领域。所述钙钛矿太阳能电池包括依次设置的导电衬底、电子传输层、钙钛矿层、动态交联聚氨酯层、空穴传输层及金属电极层。本发明利用动态交联聚氨酯钝化钙钛矿层即能修复钙钛矿表面缺陷，又能阻隔钙钛矿层与空气中的水分接触，提高了钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性。本发明公开的钙钛矿太阳能电池的制备方法，简单易操作，适合钙钛矿太阳能电池的大批量生产与应用。
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公开(公告)号：CN110818723A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910949751.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C07D495/04 , C07D495/22 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L35/24
Abstract: 本发明公开了一种通过一步合成基于稠环和苯并噻二唑的高性能共轭小分子半导体材料，依据苯并噻二唑为受体单元，稠环为给体单元，设计一种可溶液处理的共轭小分子半导体材料，具有小分子明确的结构和共轭聚合物优异的成膜性能，利用分子内和分子间的D/A相互作用，结合分子内的非共价相互作用，使整个共轭小分子保持良好的平面性，利于分子的有序堆积，制备的共轭小分子半导体材料有望获得优异的光电性能。可以用于高性能的有机薄膜晶体管器件中，具有高的空穴传输性能，空穴迁移率高达2.0 cm2V-1s-1。本发明具有结构简单、合成简洁，分子平面性好的优点，利于商业化应用推广，也可以作为光伏给体材料，适合应用于有机光伏器件中。
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公开(公告)号：CN110790776A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911037369.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C07D519/00 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L35/24 , H01L37/02
Abstract: 本发明公开了一种电子传输型共轭小分子半导体材料，噻吩桥为给体结构的受体（A1）-给体（D）-受体（A2）-给体（D）-受体（A1）型共轭小分子半导体材料。本发明引入强缺电子双受体结构，以噻吩桥联接，保持分子良好的平面性，这类新型的A1-D-A2-D-A1型共轭小分子材料具有电子传输特性，同时在受体上引入助溶烷基链，使得共轭小分子材料具有溶液可加工性。本发明的共轭小分子半导体材料是一种可溶液加工的半导体材料，可应用于非富勒烯光伏受体材料，n-型传输有机薄膜晶体管以及热电材料等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110698497A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910862239.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C07D495/22 , C07D519/00 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种基于稠环和吲哚-2-酮的A-D-A型共轭小分子半导体材料，这种共轭小分子材料兼具传统小分子和共轭聚合物的优点，具有明确的分子结构，无批次差异，以及良好的成膜性。发明的小分子半导体材料具有稠环刚性的给体结构，以噻吩桥为联接单元，吲哚-2-酮及其衍生物为受体单元，结合成A-D-A型的新型小分子半导体材料，同时给体和受体单元上都引入烷基链，保证材料的溶解性，这种新型的A-D-A型小分子半导体材料，可溶液加工，在有机薄膜晶体管、有机光伏等方面具有应用前景。
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公开(公告)号：CN108948329A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810599930.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C08G61/12
Abstract: 本发明公开了一种超低能级的共轭聚合物半导体材料及其制备方法，该共轭聚合物结构式为：其中，R为C12‑C30烷烃链。该聚合物可以采用直接芳基化反应和Stille反应制备。本发明是结合联噻唑的弱缺电子特性和双(7‑氮杂‑3‑亚乙基)‑苯并二呋喃二酮)的强缺电子特性以及平面大π共轭结构来制备超低能级共轭聚合物半导体材料。本发明的材料可溶液加工，具有超低的LUMO和HOMO能级，可作为电子传输材料，应用于有机薄膜晶体管，有机光伏以及其它有机电子领域。
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公开(公告)号：CN103626975B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201310542474.4
申请日：2013-11-05
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C08G61/12
Abstract: 一种半导体共轭聚合物及其制备方法。本发明公开了一种可溶液加工的聚合物半导体材料，具体的是一种基于二维共轭苯并二噻吩和（2-氧吲哚-3-亚基）苯并二呋喃-二酮的半导体共轭聚合物及其制备。本发明涉及合成的新型半导体共轭聚合物具有宽的吸收峰，覆盖可见光甚至延伸至近红外区域，同时具有低的LUMO能级，可代替PCBM作为光伏受体材料应用与有机光伏领域。以引入的侧链为促溶烷基链，本发明所制得的共轭半导体聚合物可溶液加工处理，在有机光伏领域有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN103172837B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310069971.7
申请日：2013-03-05
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C08G61/12 , C07D519/00
Abstract: 本发明公开了一种基于苯并二噻吩和苯并三噻吩的半导体共轭聚合物及其制备方法。该共轭聚合物结构式为：其中，R1为C8 - C20烷烃链；R2为C7 - C19烷烃链，n≥1。该制备方法为以苯并二噻吩双锡单体，苯并三噻吩双溴单体在Stille反应条件下共聚反应，得到全共轭聚合物。本发明是结合苯并二噻吩和苯并三噻吩这两种单元的优点，提供一种可溶性的基于这两种单元的半导体共轭聚合物，本发明的半导体共轭聚合物具有新颖的刚性平面的大π共轭的可溶的苯并二噻吩和苯并三噻吩单元和柔性促溶的烷基链，是可溶液加工的共轭聚合物。本发明分子设计合理，聚合物具有好的分子排列，有望得到高的载流子迁移率并应用于有机光电领域。
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公开(公告)号：CN108948329B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810599930.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C08G61/12
Abstract: 本发明公开了一种超低能级的共轭聚合物半导体材料及其制备方法，该共轭聚合物结构式为：其中，R为C12‑C30烷烃链。该聚合物可以采用直接芳基化反应和Stille反应制备。本发明是结合联噻唑的弱缺电子特性和双(7‑氮杂‑3‑亚乙基)‑苯并二呋喃二酮)的强缺电子特性以及平面大π共轭结构来制备超低能级共轭聚合物半导体材料。本发明的材料可溶液加工，具有超低的LUMO和HOMO能级，可作为电子传输材料，应用于有机薄膜晶体管，有机光伏以及其它有机电子领域。
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