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公开(公告)号:CN103013502A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201210505959.1
申请日:2012-12-03
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基荧光材料及其合成方法,其中硅酸盐基荧光材料的化学通式为:(Ae1-xEux)3SiO5;其中Ae为Sr2+、Ba2+、Ca2+、Zn2+、Sm2+、Nd2+、Tm2+中的一种或几种;x=0.5%-5%;本发明硅酸盐基荧光材料采用固相反应法制备得到。本发明硅酸盐基荧光材料Ae3SiO5:Eu2+的化学稳定性好,发射光谱峰值可以红移至600nm,能够有效弥补蓝光芯片配合黄色荧光粉封装白光LED所产生的红色光谱成分不足,提高显色指数。
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公开(公告)号:CN103013502B
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201210505959.1
申请日:2012-12-03
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基荧光材料及其合成方法,其中硅酸盐基荧光材料的化学通式为:(Ae1-xEux)3SiO5;其中Ae为Sr2+、Ba2+、Ca2+、Zn2+、Sm2+、Nd2+、Tm2+中的一种或几种;x=0.5%-5%;本发明硅酸盐基荧光材料采用固相反应法制备得到。本发明硅酸盐基荧光材料Ae3SiO5:Eu2+的化学稳定性好,发射光谱峰值可以红移至600nm,能够有效弥补蓝光芯片配合黄色荧光粉封装白光LED所产生的红色光谱成分不足,提高显色指数。
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公开(公告)号:CN102925144B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201210456921.X
申请日:2012-11-14
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C09K11/59
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种适于近紫外波长激发的白光LED蓝色荧光材料及其制备方法,其中本发明荧光材料,其特征在于其组成由以下通式表示:MaNbSicO8:Eu2+;式中M选自Sr、Ca、Ba中的一种或几种;N为Mg和/或Ca;a+b=4,1.8≤c≤2.0。本发明蓝色荧光材料发光效率高、化学稳定性和发光热稳定性更好。本发明所合成荧光材料发射波长峰值为460nm左右,且可以通过添加不同浓度Ba或Ca进行调节,其发射波长峰值与LED蓝光芯片InGaN芯片发射波长非常一致,这为白光LED封装过程中利用不同荧光材料进行配光带来便利。
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公开(公告)号:CN102925144A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201210456921.X
申请日:2012-11-14
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C09K11/59
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种适于近紫外波长激发的白光LED蓝色荧光材料及其制备方法,其中本发明荧光材料,其特征在于其组成由以下通式表示:MaNbSicO8:Eu2+;式中M选自Sr、Ca、Ba中的一种或几种;N为Mg和/或Ca;a+b=4,1.8≤c≤2.0。本发明蓝色荧光材料发光效率高、化学稳定性和发光热稳定性更好。本发明所合成荧光材料发射波长峰值为460nm左右,且可以通过添加不同浓度Ba或Ca进行调节,其发射波长峰值与LED蓝光芯片InGaN芯片发射波长非常一致,这为白光LED封装过程中利用不同荧光材料进行配光带来便利。
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