公开(公告)号：CN119637818A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411762085.7

申请日：2024-12-03

Applicant: 合肥综合性科学中心环境研究院

Inventor： 黄行九 ,  唐丽君 ,  陈石华 ,  杨猛 ,  宋宗银 ,  熊博平 ,  杨远帆 ,  高志伟

IPC: C01B21/082 ,  G01N27/30 ,  G01N27/26 ,  G01N27/48 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种Bi@S掺杂g‑C3N4纳米材料及制备方法和应用，其中制备方法包括：对尿素进行煅烧，得到g‑C3N4基底材料；将其与Bi(NO3)3·5H2O、含硫非金属材料加入去离子水中，加热搅拌，得到均一混合液；加热蒸干混合液，得到前驱体；再对其研磨均匀；将研磨后的前驱体进行煅烧，冷却后再进行研磨，即得Bi@S掺杂g‑C3N4纳米材料。本发明通过掺杂煅烧使S对Bi元素进行电子调节，使得其在电化学检测过程中，有更多的电子流向重金属铅离子从而提高了其检测的灵敏性。

公开(公告)号：CN119038636A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411152847.1

申请日：2024-08-21

Applicant: 皖江新兴产业技术发展中心 ,  中国科学院合肥物质科学研究院 ,  合肥综合性科学中心环境研究院

Inventor： 黄行九 ,  刘子豪 ,  杨猛 ,  蔡鑫 ,  戴庞达 ,  门承智 ,  王界 ,  戴海花 ,  李培华 ,  陈石华 ,  宋宗银 ,  林景怡 ,  马娜

IPC: C01G53/11 ,  G01N27/333 ,  C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ni3S4‑MoS2异质结材料及制备方法和应用，属于离子选择性电极技术领域。Ni3S4‑MoS2异质结材料的制备方法包括以下步骤：将钼源、镍源和硫源加入水中，超声分散形成均匀的混合液；将混合液进行水热反应，反应物经冷却、离心洗涤、干燥后，得Ni3S4‑MoS2异质结材料。本发明将Ni3S4‑MoS2异质结材料作为全固态钠离子选择性电极的转导层，由于Ni3S4‑MoS2异质结材料具有优异的电容及疏水性，所以能够有效的稳定界面电位，同时抑制电极表面水层的形成，实现了对钠离子良好的电位响应，并表现出优异的稳定性、可逆性以及再现性。