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公开(公告)号：CN113049645A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110273333.1
申请日：2021-03-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二维层状SnS2纳米花半导体材料的NO2气体传感器及其制备方法，属于二维过渡金属硫化物半导体材料气体传感器技术领域。本发明的传感器由外表面带有线宽为75μm的Au叉指电极的氧化铝陶瓷片和涂覆在电极上的二维SnS2纳米花半导体敏感材料组成。SnS2纳米花的直径为30～50μm，纳米花瓣的厚度在10nm以下。本发明利用二维层状SnS2纳米花半导体材料具有对NO2选择性好、比表面积大、物理化学性质稳定的特点，达到提高传感器对NO2的响应值、实现室温工作降低功耗、耐湿的功效。此外，本发明工艺简单，器件寿命长，适于大批量生产，在检测NO2气体领域有广阔的应用前景。
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