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公开(公告)号：CN110444313A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810585576.7
申请日：2018-06-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PN结型β辐射伏特效应核电池，其基本结构包括：纯β放射源、碳化硅PN结器件和电池外壳。利用微波等离子体化学气相沉积技术和离子注入技术制备碳化硅PN结结构，采用半导体微加工工艺和电子束蒸发镀膜技术生成欧姆接触电极，再将纯β放射源耦合加载到碳化硅PN结器件表面构成一种将纯β放射源的衰变能转化为电能的装置。本发明提供的技术方案简单，有利于实现具有能量转化效率高、输出性能稳定、工作时间长、抗辐照性能强的薄膜型β辐射伏特效应核电池，这种类型的核电池具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231236A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810076391.3
申请日：2018-01-26
Applicant: 吉林大学
IPC: G21H1/12
Abstract: 本发明公开了属于核能利用技术领域的辐射闪烁体式核电池。所述核电池包括密封外壳、辐射闪烁体、非辐射闪烁体、增透膜、半导体光伏组件。所述辐射闪烁体被非辐射闪烁体包围，所述增透膜完全包裹闪烁体的外表面；所述半导体光伏组件完全包裹增透膜，所述密封外壳固定于半导体光伏组件的外壁。本发明将荧光材料与放射源合二为一，进一步增加了荧光产率，避免了外置放射源对于闪烁体晶格结构的损伤，缩小了电池体积并使放射源能量得以充分利用，增大了电池的输出功率，是放射源能量利用的新型方式。
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公开(公告)号：CN110428922A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201810585578.6
申请日：2018-06-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池，其基本结构包括：纯β放射源提供载能β粒子，慢化体将纯β放射源释放的高能β粒子慢化获得低能β粒子，碳化硅PIN结器件吸收纯β放射源的衰变能并将其转化为电能，电池外壳保护电池内部结构并屏蔽未能利用的载能β粒子和次生γ射线。碳化硅是目前商业化发展成熟的第三代宽禁带半导体材料，它具有禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、载流子饱和速率大、抗辐照性能优越等特性。研究表明：基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池是微机电系统理想的微型电源。
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公开(公告)号：CN108492905A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810519436.X
申请日：2018-05-28
Applicant: 吉林大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种金刚石PIM肖特基型β辐射伏特效应核电池，其基本结构包括：纯β放射源提供载能β粒子；金刚石慢化体将纯β放射源出射的高能β粒子慢化获得低能β粒子；金刚石PIM肖特基二极管吸收载能β粒子并将其能量转换为电能；电池外壳保护电池内部结构并屏蔽未能利用的载能β粒子和次生γ射线。由于金刚石材料具有禁带宽度大、抗辐照性能强、高掺杂金刚石电学性能优良、耐高温、耐高压和极高的化学惰性等特点，基于金刚石材料的β辐射伏特效应核电池的能量转化效率高、输出稳定、使用寿命长并且防护简单。
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公开(公告)号：CN210223589U
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201820884225.1
申请日：2018-06-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池，其基本结构包括：纯β放射源提供载能β粒子，慢化体将纯β放射源释放的高能β粒子慢化获得低能β粒子，碳化硅PIN结器件吸收纯β放射源的衰变能并将其转化为电能，电池外壳保护电池内部结构并屏蔽未能利用的载能β粒子和次生γ射线。碳化硅是目前商业化发展成熟的第三代宽禁带半导体材料，它具有禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、载流子饱和速率大、抗辐照性能优越等特性。研究表明：基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池是微机电系统理想的微型电源。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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