公开(公告)号：CN114671454B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210285040.X

申请日：2022-03-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张可为 ,  张洪鹏 ,  张明喆 ,  陈茜 ,  佟宇 ,  曾皓群 ,  凌剑宇

IPC: C01G3/12

Abstract: 本发明的高温高压合成新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料的方法属于铁磁性材料制备的技术领域，首先，组装保压装置，使得保压装置的腔体中自高温端向低温端依次排列为样品原料(6)、样品腔(5)、硬质合金模具(10)、模具钢(4)和加热电阻丝(3)，然后，将组装好的保压装置置于普通两面顶压机内，加压2～4GPa，升温至300～500℃，保压保温60～100分钟，再降温至20～30℃，卸压至0GPa，除去两端的硬质合金冲头(9)，对样品表面进行清理，得到新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料。本发明制备方法简单，成本低，能够满足批量生产的要求。

公开(公告)号：CN114715930A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210285059.4

申请日：2022-03-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张明喆 ,  张洪鹏 ,  张可为 ,  陈茜 ,  佟宇 ,  曾皓群 ,  凌剑宇

IPC: C01G3/00 ,  C01G3/12 ,  H01F1/40 ,  H01F41/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的气雾冷凝化学沉积合成CuS：Ho稀磁半导体的方法属于稀磁半导体材料制备的技术领域，有以下步骤：将Cu离子与Ho离子混合溶液在超声波雾化机的作用下产生Cu离子与Ho离子混合气雾，然后与硫化氢气体在循环水的环境中在气体驱动装置的驱动下进行反应，在收集瓶内沉淀得到Ho掺杂CuS基稀磁半导体纳米颗粒CuS：Ho。本发明制备方法简单，成本低，能够满足批量生产的要求，得到的Ho掺杂CuS基稀磁半导体具有室温铁磁性。

公开(公告)号：CN114671454A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210285040.X

申请日：2022-03-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张可为 ,  张洪鹏 ,  张明喆 ,  陈茜 ,  佟宇 ,  曾皓群 ,  凌剑宇

IPC: C01G3/12

Abstract: 本发明的高温高压合成新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料的方法属于铁磁性材料制备的技术领域，首先，组装保压装置，使得保压装置的腔体中自高温端向低温端依次排列为样品原料(6)、样品腔(5)、硬质合金模具(10)、模具钢(4)和加热电阻丝(3)，然后，将组装好的保压装置置于普通两面顶压机内，加压2～4GPa，升温至300～500℃，保压保温60～100分钟，再降温至20～30℃，卸压至0GPa，除去两端的硬质合金冲头(9)，对样品表面进行清理，得到新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料。本发明制备方法简单，成本低，能够满足批量生产的要求。