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公开(公告)号:CN115616320A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211292725.3
申请日:2022-10-21
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明是一种BiAlO3材料高压原位铁电性的测量方法,在室温条件下,将BiAlO3铁电材料在金刚石对顶砧中先从0GPa加压到6.72GPa,得到电滞回线随压力规律性变化的BiAlO3铁电材料。室温下,利用金刚石对顶砧装置对BiAlO3样品进行加压处理,对不同压力点进行原位高压铁电测试。本发明的技术方案所提出的BiAlO3材料高压原位铁电性的测量方法,得到压力对BiAlO3电滞回线、剩余极化强度、储能效率等的调控作用,这对于拓展BiAlO3的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN115629106A
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202211297162.7
申请日:2022-10-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明是一种调控BiAlO3电导率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制BiAlO3电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控BiAlO3电导率的方法,通过压力大小的控制,进而控制BiAlO3的电导率,为BiAlO3在光电领域的应用指明了新的方向和思路,对于拓展BiAlO3的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN117643906A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202311632910.7
申请日:2023-12-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明是一种调控卤化氧铋电导率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制卤化氧铋的电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控卤化氧铋电导率的方法,通过压力大小控制,进而控制卤化氧铋的电导率,为卤化氧铋在光电领域的应用指明了新的方向和思路,对于拓展卤化氧铋的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN117509659A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311633645.4
申请日:2023-12-01
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/12
Abstract: 本发明涉及一种调控四硼酸锂电学参数的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将四硼酸锂样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,调控四硼酸锂的电学参数。本发明的技术方案所提出的一种调控四硼酸锂电学参数的方法,通过压力大小的控制,进而控制四硼酸锂电学参数,为四硼酸锂作为电池正极材料应用提供一个新的方向,对于拓展四硼酸锂的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN115575454A
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN202211163406.2
申请日:2022-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种调控KH2PO4电导率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将KH2PO4样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,调控KH2PO4的电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控KH2PO4电导率的方法,通过压力大小的控制,进而控制KH2PO4的电导率,为KH2PO4在光电领域的应用指明了新的方向和思路,对于拓展KH2PO4的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN115575453A
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN202211161834.1
申请日:2022-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种调控LiMn2O4电学参数的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将LiMn2O4样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,调控LiMn2O4的电学参数。本发明的技术方案所提出的一种调控LiMn2O4电学参数的方法,通过压力大小的控制,进而控制LiMn2O4电学参数,为LiMn2O4作为电池正极材料应用提供一个新的方向,对于拓展LiMn2O4的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN115312621A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202210911800.3
申请日:2022-07-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种提高BiFeO3光电转化效率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将BiFeO3样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,提高BiFeO3的光电转换效率。本发明的技术方案所提出的一种提高BiFeO3的光电转化效率的方法,为BiFeO3在光电领域的应用指明了新的方向和思路,通过压力减小BiFeO3的能带带隙,从而使更多可见光可以被材料吸收,使BiFeO3的光电转化效率得到显著提高。
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