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公开(公告)号：CN113363394A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110614427.0
申请日：2021-06-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿电池制备方法，包括制备空穴传输层，制备空穴传输层包括以下步骤：S1、分别配置Li‑TFSI溶液、Spiro‑OMeTAD溶液和具有氧化性的无机钠盐或钾盐溶液，混合后得到空穴传输层前驱体溶液；S2、将空穴传输层前驱体溶液涂覆在钙钛矿功能层上，制备得到空穴传输层。本发明引入具有氧化性的无机钠盐或钾盐对Spiro‑OMeTAD进行氧化，在制备空穴传输层之前就完成氧化过程。本发明的钠离子和钾离子在钙钛矿太阳能电池工作时会迁移到钙钛矿层中，提升钙钛矿太阳能电池的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113161503A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011628203.7
申请日：2020-12-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种透明电极，分别由三层薄膜叠加组成，分别为氧化锌(ZnO)‑钙(Ca)‑氧化铝(Al2O3)，该电极不同薄膜层的结合达到了红外光和可见光全波段都有高且相对均等的光学透过率的结果，为目前的器件由于透过率不平衡造成的色偏现象提供了解决方法，可广泛应用于多色发光，彩色发光，白光发光灯等方面，并能避免为了解决透过率不均衡导致的色偏现象的问题。
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公开(公告)号：CN113363394B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110614427.0
申请日：2021-06-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿电池制备方法，包括制备空穴传输层，制备空穴传输层包括以下步骤：S1、分别配置Li‑TFSI溶液、Spiro‑OMeTAD溶液和具有氧化性的无机钠盐或钾盐溶液，混合后得到空穴传输层前驱体溶液；S2、将空穴传输层前驱体溶液涂覆在钙钛矿功能层上，制备得到空穴传输层。本发明引入具有氧化性的无机钠盐或钾盐对Spiro‑OMeTAD进行氧化，在制备空穴传输层之前就完成氧化过程。本发明的钠离子和钾离子在钙钛矿太阳能电池工作时会迁移到钙钛矿层中，提升钙钛矿太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN113948645A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111202539.1
申请日：2021-10-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿电池制备方法，包括以下步骤：S1、制备逐步释放缺陷钝化剂的缓释剂；S2、制备前驱体溶液，在制备过程中加入缓释剂；S3、在衬底的表面使用前驱体溶液制备得到钙钛矿薄膜；S4、在钙钛矿薄膜的表面制备空穴传输‑电子阻挡层和电子传输‑空穴阻挡层；S5、在空穴传输‑电子阻挡层和电子传输‑空穴阻挡层的表面制备电极。本发明将缺陷钝化剂装载在多孔或中空的金属纳米球、具有介孔结构的有机物、有机‑无机复合物或聚合物中，在钙钛矿太阳能电池运行过程中缺陷钝化剂会逐步释放，从而提升缺陷钝化剂的作用时间，达到延长钙钛矿太阳能电池器件运行时间的效果。
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公开(公告)号：CN113253534A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110521337.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/155 , G02F1/153 , G02F1/1523 , G02F1/15
Abstract: 本发明公开了一种电致变色器件，包括阴极、阳极、电解质；阴极的衬底上设置有金属层；阴极和阳极的衬底包括掺杂氟的氧化锡导电玻璃及生长在氧化锡导电玻璃上经过原子层沉积技术修饰的石墨烯，石墨烯经过修饰后获得更高的电学性能。氧化钼层的厚度范围在50纳米至100纳米之间。电解质为也液态或凝胶态电解质中的一种。铝离子电解质的浓度为1mol/L。金属铝的厚度为20纳米至80纳米之间。
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公开(公告)号：CN113253534B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110521337.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/155 , G02F1/153 , G02F1/1523 , G02F1/15
Abstract: 本发明公开了一种电致变色器件，包括阴极、阳极、电解质；阴极的衬底上设置有金属层；阴极和阳极的衬底包括掺杂氟的氧化锡导电玻璃及生长在氧化锡导电玻璃上经过原子层沉积技术修饰的石墨烯，石墨烯经过修饰后获得更高的电学性能。氧化钼层的厚度范围在50纳米至100纳米之间。电解质为也液态或凝胶态电解质中的一种。铝离子电解质的浓度为1mol/L。金属铝的厚度为20纳米至80纳米之间。
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