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公开(公告)号：CN116282122B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202310297064.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C01F17/218 , C09K3/00 , C09D5/32 , C01F17/10
Abstract: 本发明公开了一种具有高强光学吸收的诱导材料及其制备方法，属于诱导材料制备技术领域，该方法通过对基质材料进行选择性掺杂和激光烧蚀，使得基质材料对指定波长的光产生不小于0.1％的光吸收，且光吸收率越高越好；利用指定波长的激光去激发材料，使得材料发生光诱导黑体吸收效应，从而在材料内部产生新的能态。该能态是具有宽带强吸收能力的新量子态，它具有宽带、高吸收率的光吸收特征，可以引发材料的光学吸收在很大的光谱范围内产生剧烈的增加，并表现出类似于光子雪崩吸收和光子雪崩发光的特征。这种光诱导强光吸收材料可以有多种实际应用前景；在未来的激光武器系统中应用，提高激光武器的效能，并扩大激光武器击毁装甲材料的范围。
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公开(公告)号：CN116275469A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310297080.0
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
IPC: B23K26/00 , C01F17/218 , C01F17/10
Abstract: 本发明公开了一种基于光诱导调控材料光学吸收的方法及其应用，属于光学技术领域，具体包括：根据不同材料选取合适的激发光源诱导黑体吸收现象或利用高功率密度的激发光去诱导材料产生光诱导黑体吸收现象的产生；根据材料选取合适的激发光源诱导黑体吸收现象是需保证激光波长与材料的特征吸收波长相匹配，即可实现光诱导黑体吸收现象的产生；利用高功率密度的激发光去诱导材料产生光诱导黑体吸收现象是需保证所采用的材料对激发光可产生不少于0.1％的光吸收。该方法通过激光进行照射引起材料发生光诱导黑体吸收，使得材料的光学吸收在很宽波段(200nm～2500nm)范围剧烈增加。
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公开(公告)号：CN115385370B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211158770.X
申请日：2022-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种奥斯瓦尔德熟化过程的控制方法，属于纳米材料制备技术领域，本发明首先利用全自动纳米合成仪探索影响NaREF4纳米材料发生奥斯瓦尔德熟化过程的因素，确定奥斯瓦尔德熟化过程发生时反应体系的临界浓度(Cc)和控制奥斯瓦尔德熟化过程可进行实验操作的时间窗口(time window)；之后利用全自动纳米合成仪制备出含有反应物原料的前驱体溶液，通过注射含有反应物原料的前驱体溶液来调节反应体系的浓度，保证反应物浓度高于临界浓度，实现对奥斯瓦尔德熟化过程的控制，可以实现纳米晶体尺寸的连续性增加，同时可以使合成的纳米晶体保持均匀形貌，保证其呈现单峰的粒径分布。
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公开(公告)号：CN114188433B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111502858.4
申请日：2021-12-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件及其制备方法，属于宽禁带半导体的近红外光激发技术领域，由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h‑BN@电极进行附着结合得到；当近红外光源照射光电转换器件时，表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光可产生波长为205nm和195.3nm的紫外荧光，为h‑BN的光激发提供能量，从而实现h‑BN的近红外光激发。由于h‑BN材料为宽禁带半导体，实现其光激发所需的光源为波长小于210nm的深紫外光，故由h‑BN材料制成的光电转换器件多用于深紫外光的探测。本发明提出的可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件在丰富了以h‑BN为原材料的光电转换器件可探测光源的波长范围的同时，还解决了使用h‑BN作为光触媒应用于光催化领域的关键技术难点。
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公开(公告)号：CN116400546A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310297101.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了基于光诱导黑体效应实现本征光学双稳态的方法及其应用，属于光学技术领域，具体是选取两束激光作为激发光对光诱导黑体吸收材料进行激发；该方法通过激光照射引起材料发生光诱导黑体效应，当照射激光的功率密度达到或超过光诱导黑体效应发生的阈值时，材料的光学吸收和光发射在很宽波段(200nm～2500nm)范围剧烈增加，呈现出光子雪崩吸收和发光的特征。在双光束激光照射的情况下，适当地选择两束激光的功率，可以构造本征光学双稳态发光和双稳态散射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116282122A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310297064.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C01F17/218 , C09K3/00 , C09D5/32 , C01F17/10
Abstract: 本发明公开了一种具有高强光学吸收的诱导材料及其制备方法，属于诱导材料制备技术领域，该方法通过对基质材料进行选择性掺杂和激光烧蚀，使得基质材料对指定波长的光产生不小于0.1％的光吸收，且光吸收率越高越好；利用指定波长的激光去激发材料，使得材料发生光诱导黑体吸收效应，从而在材料内部产生新的能态。该能态是具有宽带强吸收能力的新量子态，它具有宽带、高吸收率的光吸收特征，可以引发材料的光学吸收在很大的光谱范围内产生剧烈的增加，并表现出类似于光子雪崩吸收和光子雪崩发光的特征。这种光诱导强光吸收材料可以有多种实际应用前景；在未来的激光武器系统中应用，提高激光武器的效能，并扩大激光武器击毁装甲材料的范围。
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公开(公告)号：CN116252373A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310297061.8
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光致黑体吸收效应的激光辅助3D打印陶瓷方法，属于陶瓷材料加工技术领域，采用光致黑体吸收材料改性的陶瓷泥作为3d打印原料，在诱导激光照射下，改性陶瓷泥可以进入到光致黑体吸收状态，此时材料对宽谱范围内的光具有大于90％的吸收率；且材料对加工激光的吸收率极高，材料在短时间内被激光加热到陶瓷的烧结温度，有效的提高了激光的加工效能。基于改性陶瓷原材料在光致黑体吸收状态对加工激光吸收率高，在原有的3d打印陶瓷技术的基础上，引入激光对刚挤出的改性材料逐点照射，原有的3d打印、脱脂和烧制压缩成3d打印和烧制两步，挤出成型，激光脱脂和激光预烧制三个过程同步进行，极大的压缩3d打印陶瓷的加工的时间。
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公开(公告)号：CN117050753A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311029507.5
申请日：2023-08-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了利用加速剂离子掺杂实现铥发光材料S波段发射强度增强的方法及其应用，属于稀土掺杂发光材料技术领域，所述方法包括：通过计算得到发光中心离子铥离子与加速剂离子之间相匹配的能级，并确定所需掺杂的加速剂离子；制备铥、敏化剂、加速剂共掺杂的稀土纳米粒子，并通过调节稀土纳米粒子中发光中心离子Tm3+、敏化剂离子、加速剂离子的掺杂比例，实现对S波段发光强度的调控。通过引入能够提高铥离子S波段跃迁上能级3H4电子布居的加速剂离子，建立加速剂离子与铥离子间的能量传递，提高铥离子S波段发射所需电子跃迁过程的速率，最终实现S波段的发光增强；利用本方法制备的铥离子和加速剂离子共掺杂发光材料的S波段发射得到了有效增强。
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公开(公告)号：CN116285887A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310297071.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光诱导黑体吸收效应的吸光材料及其应用，属于光学材料技术领域，所述吸光材料由一种基质材料及掺杂剂组成，并利用相应的激发光照射掺杂后的材料获得基于光诱导黑体吸收效应的吸光材料；其中，所述掺杂剂对所使用的激发光具有不小于0.1％的光吸收，掺杂剂的掺杂浓度范围为0.1mol％～80mol％。该材料与待加工的材料相结合后，通过诱导激光照射，待加工材料可以进入光致黑体吸收状态，此状态下的待加工材料在宽波段(200nm～2500nm)范围内的光吸收率可以达到90％以上。
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公开(公告)号：CN115558499A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211158781.8
申请日：2022-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于奥斯瓦尔德熟化过程控制的具有核壳结构的纳米材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域，本发明的制备方法通过调整前驱体溶液的浓度及注射次数，可以实现制备的纳米材料粒径的调节，并可实现具有核壳结构的纳米材料的制备；在反应物总量且反应时间相同的情况下，与未控制奥斯瓦尔德熟化过程的纳米晶体相比，使用该控制方法合成的合成的核壳纳米材料不仅实现了壳层组分和厚度的调节，而且具备更均匀的形貌和更强的上转换发光特性。良好的光学质量。
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