公开(公告)号：CN107863424A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711110768.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张宝林 ,  庄仕伟 ,  张源涛 ,  董鑫 ,  马雪

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L33/0012 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/005 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26

Abstract: 一种基于钙钛矿薄膜的全无机发光器件及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。自下而上由层叠结构的ITO玻璃衬底、ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3薄膜发光层、NiO空穴传输层和Au、Al等阳极电极层组成，其中ZnO电子传输层制备在ITO玻璃衬底的ITO导电膜上，ITO导电膜作为阴极电极层；X为Cl、Br或I元素。钙钛矿CsPbX3薄膜表面平整无针孔，并且晶粒尺寸较小，容易实现高效辐射复合发光，发光纯度高并且通过调控卤素原子的掺杂比例可实现发光范围可调。所述器件中的电子/空穴传输层均采用性质稳定的无机材料ZnO/NiO，可以保证所述器件的工作环境要求低，性能稳定。

公开(公告)号：CN107863424B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201711110768.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张宝林 ,  庄仕伟 ,  张源涛 ,  董鑫 ,  马雪

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种基于钙钛矿薄膜的全无机发光器件及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。自下而上由层叠结构的ITO玻璃衬底、ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3薄膜发光层、NiO空穴传输层和Au、Al等阳极电极层组成，其中ZnO电子传输层制备在ITO玻璃衬底的ITO导电膜上，ITO导电膜作为阴极电极层；X为Cl、Br或I元素。钙钛矿CsPbX3薄膜表面平整无针孔，并且晶粒尺寸较小，容易实现高效辐射复合发光，发光纯度高并且通过调控卤素原子的掺杂比例可实现发光范围可调。所述器件中的电子/空穴传输层均采用性质稳定的无机材料ZnO/NiO，可以保证所述器件的工作环境要求低，性能稳定。

公开(公告)号：CN108376725A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810115166.6

申请日：2018-02-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张宝林 ,  徐佳新 ,  徐德前 ,  庄仕伟 ,  张源涛

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0304

Abstract: 一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，属于红外探测技术领域。该探测器由下至上依次由背电极、重掺杂的N+型InP衬底、重掺杂的N+型InP电子传输层、未掺杂的窄禁带InSb有源区、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层以及栅条形上电极)组成。本发明采用低压金属有机物化学气相外延技术，在重掺杂的N+型InP衬底制备相应结构，并利用磁控溅射技术制备上电极和背电极，得到的器件具有探测率高、响应速度快、工作温度高、制备工艺简单等特点，在室温条件下，归一化探测率D*为2.4×1010cm Hz1/2W-1，可应用于航天、军事、工业、民用等领域。