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公开(公告)号：CN103952136B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410177779.4
申请日：2014-04-29
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明的Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的CdS量子点，在核的基础上包覆ZnSe量子壁以形成II型核壳结构，再包覆宽带隙ZnS钝化保护层，最终量子点为Cu：CdS/ZnSe/ZnS结构。本发明的量子点材料具有连续宽谱白光，具有较大的斯托克斯位移，自吸收较小，具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数，光色在空间分布均匀，通过调节内核CdS的尺寸，外壁ZnSe的厚度以及Cu掺杂浓度可调节不同的色度坐标和色温，本发明制备的量子点材料在一定温度范围内无光色畸变现象，同时经长时间蓝光激发后，量子点仍然具有较好的光稳定性。
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公开(公告)号：CN105523585B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610103739.4
申请日：2016-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种二维MoS2纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域。在氮气保护320～370℃下，向钼前体溶液中迅速注入硫代乙酰胺前体溶液，反应1～30分钟，得到单层二维MoS2纳米片，再重复1～2遍“向反应体系中迅速注入钼前体溶液，然后以2秒/滴的速度注入硫代乙酰胺前体溶液，然后反应10分钟”的操作，得到三层或五层二维MoS2纳米片。本发明制备的纳米片尺寸均一，厚度可控，具有良好的单分散性，应用前景广泛，整个反应操作简单，原料易得。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103074058B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310020598.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS的量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，在常温下发绿光，在200℃时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形；由于本发明制备的是一种非镉的半导体材料，具有低毒性的优点，符合绿色化学的合成理念，对环境友好，应用性强。
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公开(公告)号：CN103952137A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410177804.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明的一种白光量子点材料及制备方法属于半导体照明技术领域。以Cu掺杂的InP量子点为核，在核的基础上包覆ZnSe+ZnS隔离层，以隔绝内外电子空穴波函数的扩散，然后再包覆InP量子壁层和ZnSe+ZnS宽带隙钝化保护层以提高量子点的化学稳定性和增强荧光量子效率，最终量子点为Cu：InP/ZnSeZnS/InP/ZnSeZnS结构。本发明的量子点材料具有连续宽谱白光，具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数，光色在空间分布均匀。本发明的量子点材料可以通过调控不同的InP内核尺寸和InP量子壁的厚度来调节不同的色度坐标和色温，同时具有优异的光热稳定性，且绿色环保，具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN103952136A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410177779.4
申请日：2014-04-29
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明的Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的CdS量子点，在核的基础上包覆ZnSe量子壁以形成II型核壳结构，再包覆宽带隙ZnS钝化保护层，最终量子点为Cu：CdS/ZnSe/ZnS结构。本发明的量子点材料具有连续宽谱白光，具有较大的斯托克斯位移，自吸收较小，具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数，光色在空间分布均匀，通过调节内核CdS的尺寸，外壁ZnSe的厚度以及Cu掺杂浓度可调节不同的色度坐标和色温，本发明制备的量子点材料在一定温度范围内无光色畸变现象，同时经长时间蓝光激发后，量子点仍然具有较好的光稳定性。
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公开(公告)号：CN103074058A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020598.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS的量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，在常温下发绿光，在200℃时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形；由于本发明制备的是一种非镉的半导体材料，具有低毒性的优点，符合绿色化学的合成理念，对环境友好，应用性强。
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公开(公告)号：CN105523585A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610103739.4
申请日：2016-02-26
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/22
Abstract: 本发明的一种二维MoS2纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域。在氮气保护320～370℃下，向钼前体溶液中迅速注入硫代乙酰胺前体溶液，反应1～30分钟，得到单层二维MoS2纳米片，再重复1～2遍“向反应体系中迅速注入钼前体溶液，然后以2秒/滴的速度注入硫代乙酰胺前体溶液，然后反应10分钟”的操作，得到三层或五层二维MoS2纳米片。本发明制备的纳米片尺寸均一，厚度可控，具有良好的单分散性，应用前景广泛，整个反应操作简单，原料易得。
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