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公开(公告)号:CN115015130A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202210585888.4
申请日:2022-05-26
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明涉及一种提高NiPS3光电响应特性的方法,包括:在金刚石对顶砧的压腔内插入绝缘层并放入半导体NiPS3,采用两个铂片作为电极与所述半导体NiPS3接触,在所述金刚石对顶砧的砧面上放上压力标定物。通过旋转加压螺丝对所述压腔进行加压,以提高所述压腔内半导体NiPS3的光电响应特性。本发明上述提高NiPS3光电响应特性的方法采用高压光电实验技术,能够有效调节半导体NiPS3光电光谱响应强度。无需引入掺杂,也无需调节材料尺度,方法简单高效,能推广到更多半导体材料的卸压后光电特性的提高。
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公开(公告)号:CN113189006A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110509687.1
申请日:2021-05-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及光电光谱响应范围调控方法,包括:采用金刚石对顶砧对封垫材料进行预压,在压痕中心钻取一个圆孔作为样品腔;在样品腔中填充一层光电材料,光电材料两端分别连接一个铂片作为电极;将两个电极分别与数字源表的探针连接,利用数字源表对光电材料加5V偏压;将金刚石对顶砧的样品腔中放置标压物质,用于标定压力;闭合金刚石对顶砧,旋转加压螺丝,对光电材料加高压,使样品腔内达到预设压力;将近红外激光透过金刚石照射到光电材料上,对有无光照进行控制,利用数字源表显示预设压力下的电流‑时间曲线;根据多个不同预设压力下的电流‑时间曲线确定光电光谱响应范围。本发明拓宽了光电材料的响应范围,扩大了光电探测器的应用领域。
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公开(公告)号:CN113189006B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202110509687.1
申请日:2021-05-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及光电光谱响应范围调控方法,包括:采用金刚石对顶砧对封垫材料进行预压,在压痕中心钻取一个圆孔作为样品腔;在样品腔中填充一层光电材料,光电材料两端分别连接一个铂片作为电极;将两个电极分别与数字源表的探针连接,利用数字源表对光电材料加5V偏压;将金刚石对顶砧的样品腔中放置标压物质,用于标定压力;闭合金刚石对顶砧,旋转加压螺丝,对光电材料加高压,使样品腔内达到预设压力;将近红外激光透过金刚石照射到光电材料上,对有无光照进行控制,利用数字源表显示预设压力下的电流‑时间曲线;根据多个不同预设压力下的电流‑时间曲线确定光电光谱响应范围。本发明拓宽了光电材料的响应范围,扩大了光电探测器的应用领域。
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