一种准二维蓝光LED器件的制备方法

    公开(公告)号:CN114784215B

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202210336424.X

    申请日:2022-03-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明适用于发光二极管领域,提供了一种准二维蓝光LED器件的制备方法,蓝光准二维LED器件是由准二维钙钛矿薄膜、电荷传输层及金属电极组成,其中准二维钙钛矿薄膜由纯溴基三维钙钛矿加合适长链有机配体构成。本发明在器件制备的过程中,将金属纳米团簇与传统传输层进行混合,调节原有传输层的电学性质,从而实现平衡载流子传输的效果,最终提升了钙钛矿发光器件的性能,具有制备工艺简单和效率高的优点,解决了现有蓝光准二维LED器件效率低的问题。

    一种准二维蓝光LED器件的制备方法

    公开(公告)号:CN114784215A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210336424.X

    申请日:2022-03-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明适用于发光二极管领域,提供了一种准二维蓝光LED器件的制备方法,蓝光准二维LED器件是由准二维钙钛矿薄膜、电荷传输层及金属电极组成,其中准二维钙钛矿薄膜由纯溴基三维钙钛矿加合适长链有机配体构成。本发明在器件制备的过程中,将金属纳米团簇与传统传输层进行混合,调节原有传输层的电学性质,从而实现平衡载流子传输的效果,最终提升了钙钛矿发光器件的性能,具有制备工艺简单和效率高的优点,解决了现有蓝光准二维LED器件效率低的问题。

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