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公开(公告)号：CN113921732B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111168619.X
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于照明技术领域，提供了一种基于4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法，包括：电致发光LED结构，所述电致发光LED结构包括阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极依次连接，所述发光层采用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3。本发明能够利用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3纳米晶制备出高效的LED。
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公开(公告)号：CN113903867A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111150430.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于电致发光器件技术领域，提供了一种电致发光LED及其制备方法，所述电致发光LED包括ITO玻璃作为阴极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层和空穴阻挡层；4－三氟甲基苯乙胺氢碘酸盐钝化的CsPbI3钙钛矿量子点作为发光层；P型4，4’，4”－三(咔唑－9－基)苯胺薄膜作为空穴传输层和电子阻挡层；MoO3/Ag作为阳极。本发明中的电致发光LED及其制备方法通过采用CF3PEAI钝化CsPbI3钙钛矿量子点，得到了表面缺陷较少、量子效率高、稳定性较好及性能优异的CsPbI3钙钛矿量子点，基于这种钙钛矿量子点作为发光层，制备出了高效的红光发射电致发光LED。
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公开(公告)号：CN113921732A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111168619.X
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于照明技术领域，提供了一种基于4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法，包括：电致发光LED结构，所述电致发光LED结构包括阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极依次连接，所述发光层采用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3。本发明能够利用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3纳米晶制备出高效的LED。
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公开(公告)号：CN113921731A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111157064.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于电致发光照明技术领域，具体为基于Co掺杂ZnO作为电子传输层的电致发光LED及其制备方法，电致发光LED采用ITO为阴极，ZnO纳米晶薄膜作为电子传输层，CsPbI3纳米晶作为发光层，4,4',4"‑三(咔唑‑9‑基)‑三苯胺(TCTA)作为空穴传输层，MoO3作为空穴注入层，金属Ag作为阳极。通过Co掺杂ZnO纳米晶作为电子传输层，改善了电致发光LED发光层载流子的注入平衡，同时抑制了ZnO/CsPbI3界面的激子猝灭，从而实现了高效电致发光LED器件的制备。
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