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公开(公告)号：CN101937824A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910088635.0
申请日：2009-06-30
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: G01N27/622
Abstract: 一种离子迁移谱仪，包括：电极；分别设置在该电极的相对的两侧的两个存储电极，通过该两个存储电极的电位的变化来存储来自两个存储电极之间的中部的离子以及用于将存储的离子从该存储电极排出。
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公开(公告)号：CN101728208B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810119974.6
申请日：2008-10-20
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: H01J3/04 , H01J49/004 , H01J49/061
Abstract: 公开了一种双极性IMS的离子门和方法，该离子门包括：离子源；第一门电极，设置在离子源的一侧；第二门电极，设置在离子源的另一侧；第三门电极，设置在第一门电极的远离离子源的那侧；第四门电极，设置在第二门电极的远离离子源的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极在轴上相应位置的电位与离子源的电位和第三门电极的电位存在差异；第二门电极的电位与离子源的电位和第四门电极的电位存在差异。根据本发明，样品气体进入离子门后，在第一门电极和第二门电极之间与反应离子进行电荷交换，正负离子在电场的作用下，源源不断地被存储到相应的离子滞留区中，提高了离子的利用效率。采用简单地对组合电极进行控制的方法，将离子滞留区中的离子分步引出。
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公开(公告)号：CN101937824B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910088635.0
申请日：2009-06-30
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: G01N27/622
Abstract: 一种离子迁移谱仪，包括：电极；分别设置在该电极的相对的两侧的两个存储电极，通过该两个存储电极的电位的变化来存储来自两个存储电极之间的中部的离子以及用于将存储的离子从该存储电极排出。
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公开(公告)号：CN101603943A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810114816.1
申请日：2008-06-12
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: G01N27/622
Abstract: 公开了一种用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构，包括：圆环状的电极，其中所述圆环状电极的两个圆环面在靠近内缘的至少一部分被形成为锥面，并且所述锥面与圆环状电极的中心轴所形成的角度不同。根据本发明实施例的电极结构能够有效地消除或减小空间电荷在迁移管中的积累。此结构尤其适用于迁移管内电场强度较低或通过大量离子时。同时，在保持迁移管内径不变的条件下，这种结构允许大幅度地缩减电极的外径，从而能够有效地缩小迁移管的外形尺寸，达到减小IMS的目的。
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公开(公告)号：CN101603943B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810114816.1
申请日：2008-06-12
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: G01N27/622
Abstract: 公开了一种用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构，包括：圆环状的电极，其中所述圆环状电极的两个圆环面在靠近内缘的至少一部分被形成为锥面，并且所述锥面与圆环状电极的中心轴所形成的角度不同。根据本发明实施例的电极结构能够有效地消除或减小空间电荷在迁移管中的积累。此结构尤其适用于迁移管内电场强度较低或通过大量离子时。同时，在保持迁移管内径不变的条件下，这种结构允许大幅度地缩减电极的外径，从而能够有效地缩小迁移管的外形尺寸，达到减小IMS的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101587815B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810111942.1
申请日：2008-05-19
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性；并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。本发明的离子源结构能够增强样品分子的电离效率，形成的样品离子集中分布在源体两侧的扁平空间内，这种离子云分布有利于提高IMS的灵敏度。另外，由于源体本身具有一定的透过率，在源体两侧产生的正负离子可以穿过源体，被分离到源体的两侧，因此能够有效地提高离子的利用效率。
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公开(公告)号：CN101587815A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810111942.1
申请日：2008-05-19
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性；并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。本发明的离子源结构能够增强样品分子的电离效率，形成的样品离子集中分布在源体两侧的扁平空间内，这种离子云分布有利于提高IMS的灵敏度。另外，由于源体本身具有一定的透过率，在源体两侧产生的正负离子可以穿过源体，被分离到源体的两侧，因此能够有效地提高离子的利用效率。
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公开(公告)号：CN102543649B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110439692.6
申请日：2009-06-30
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 一种离子迁移谱仪，包括：电极；分别设置在该电极的相对的两侧的两个存储电极，通过该两个存储电极的电位的变化来存储来自两个存储电极之间的中部的离子以及用于将存储的离子从该存储电极排出；以及设置在所述存储电极的、远离所述电极的一侧的迁移区入口电极。
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公开(公告)号：CN101728208A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810119974.6
申请日：2008-10-20
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: H01J3/04 , H01J49/004 , H01J49/061
Abstract: 公开了一种双极性IMS的离子门和方法，该离子门包括：离子源；第一门电极，设置在离子源的一侧；第二门电极，设置在离子源的另一侧；第三门电极，设置在第一门电极的远离离子源的那侧；第四门电极，设置在第二门电极的远离离子源的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极在轴上相应位置的电位与离子源的电位和第三门电极的电位存在差异；第二门电极的电位与离子源的电位和第四门电极的电位存在差异。根据本发明，样品气体进入离子门后，在第一门电极和第二门电极之间与反应离子进行电荷交换，正负离子在电场的作用下，源源不断地被存储到相应的离子滞留区中，提高了离子的利用效率。采用简单地对组合电极进行控制的方法，将离子滞留区中的离子分步引出。
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公开(公告)号：CN101471221A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304329.7
申请日：2007-12-27
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: H01J49/062 , G01N27/622
Abstract: 公开了一种面阵离子存储系统和方法，该系统包括：离子产生部分；离子存储部分，包括：与离子产生部分电连接的第一端电极，形成为具有多个孔；第二端电极，形成为具有多个孔；中间电极，形成为具有多个孔；第一绝缘体，形成为环状，夹在第一端电极和中间电极之间，且使得二者绝缘；第二绝缘体，形成为环状，夹在中间电极和第二端电极之间，且使得二者绝缘。根据本发明，由于将离子存储部分作的比较薄，方便离子的引出的一致性，减小了离子迁移谱峰的展宽。另外，由于第一绝缘体和第二绝缘体具有一个大孔，离子在存储空间震荡或热运动的时候，避免了与两边的绝缘材料碰撞，从而防止造成电荷转移和绝缘体上的电荷堆积放电造成的存储不稳和离子损失。
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