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公开(公告)号：CN103972323B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310038954.7
申请日：2013-01-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/241
Abstract: 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
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公开(公告)号：CN119584711A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411833615.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 本公开提供了一种背照式光电二极管，可以应用于光电二极管技术领域。所述背照式光电二极管包括：衬底；第一掺杂区，设置在所述衬底的正面；第二掺杂区，设置在所述衬底的正面，与所述第一掺杂区间隔设置，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区的掺杂类型不同；第一电极，与所述第一掺杂区电连接；以及多个第二电极，与所述第二掺杂区电连接，所述多个第二电极沿第一方向和第二方向间隔设置，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，其中，所述多个第二电极被设置为围绕所述第一电极，与所述第一电极间隔开。本公开还提供了一种探测器。
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公开(公告)号：CN119697296A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411897255.2
申请日：2024-12-20
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H04L69/22 , H04L69/324 , H04L1/00 , H04L67/5651 , H04L67/568
Abstract: 本公开提供了一种数据处理方法、装置、电子设备和安检设备，可以应用于安检设备数据采集与处理技术领域。该方法包括：响应于物理层发送初始数据流，从初始数据流中确定一个或多个数据帧的起始标记，其中，初始数据流包括一个或多个数据帧，起始标记包括前导码和帧开始界定符；针对每个起始标记，基于初始数据流，确定与起始标记对应的待检测数据帧的目的地址；在目的地址包括本地地址的情况下，将待检测数据帧写入乒乓缓存；利用循环冗余校验算法对待检测数据帧进行正确性检测，得到正确性检测结果；以及在正确性检测结果表征待检测数据帧未通过检测的情况下，将乒乓缓存中的待检测数据帧丢弃。
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公开(公告)号：CN103913763A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310004796.3
申请日：2013-01-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119716962A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411957703.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/29 , H04L67/56 , H04L69/22 , H04L12/40 , G01N23/046
Abstract: 本公开提供了一种静态计算机断层扫描的数据采集方法和系统以及CT设备。数据采集方法包括：向主控制器发送扫描控制系统指令；对扫描控制系统指令进行解析，生成内部控制指令；将内部控制指令分别发送至多个采集控制器；根据内部控制指令，控制多个探测器进行数据采集。
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公开(公告)号：CN103913763B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310004796.3
申请日：2013-01-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
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公开(公告)号：CN103972323A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310038954.7
申请日：2013-01-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/241
Abstract: 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
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公开(公告)号：CN203037860U
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201320005909.7
申请日：2013-01-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
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公开(公告)号：CN203071113U
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201320055928.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
Abstract: 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
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