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公开(公告)号:CN111591992A
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN202010523601.6
申请日:2020-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/921 , C01B32/914 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种单层MXene纳米片及其制备方法,所述制备方法包括:将MAX相粉体分散于氢氟酸溶液中进行刻蚀反应,干燥后得到风琴状的Mxene粉体;将所述Mxene粉体和固态插层剂混合,并置于球磨罐中进行球磨,得到混合粉体;将所述混合粉体离心洗涤,除去所述固态插层剂,干燥后得到单层MXene纳米片。本发明通过采用固态插层剂,直接与风琴状Mxene粉体球磨,利用球磨提供的高能量和剪切力直接进行插层和剥离,一方面,不会对单层Mxene纳米片的结构产生破坏,后续洗涤过程中较容易完全除去;另一方面,固态插层剂可以很好的与风琴状MXene表面丰富的官能团吸附,在没有液相溶剂的参与下,有利于单层MXene材料的分离,提高产率。