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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118231510A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410386495.X
申请日：2024-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光突触模拟，更具体的说是一种自驱动宽带光突触器件及其制备方法，包括绝缘衬底和位于衬底表面的窄带隙二维半导体层，所述窄带隙二维半导体层表面两侧设置有与窄带隙二维半导体层接触面积不同的两个金属电极，所述金属电极材料的功函数大于窄带隙二维半导体层材料的费米能级，使得在金属电极和窄带隙二维半导体层的界面处可以形成肖特基接触，窄带隙二维半导体层作为沟道材料，选用具有硒空位缺陷的硒氧铋化合物(Bi2O2Se)；在无须外部供电条件下，实现了从紫外光到近红外光谱的宽探测光谱范围和高响应度的光探测性能。
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公开(公告)号：CN119364873A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411421896.0
申请日：2024-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及柔性光电突触器件的制备方法，更具体的说是一种具有擦除数据功能的柔性光电突触器件的制备方法。为获得结构简单、成本低并具有擦除数据功能的柔性光电突触器件。通过弯折器件使材料内部产生缺陷，诱导离化氧空位的中和，从而降低薄膜的电导率，以实现数据的擦除，为金属氧化物半导体基光电突触器件提供了一种快速擦除数据的方法；为金属‑半导体‑金属结构的金属氧化物半导体基光电突触器件擦除数据提供了一种新的解决方案。提供的柔性光电突触器件能高度相似地模拟生物突触的功能和行为，并且具有大于5比特的存储位宽，表现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN116219550B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310413511.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，使用水热法制备二维Bi2O2Se，步骤一：将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A，步骤二：在氢氧化钠溶液中加入水合肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B，步骤三：将溶液A和溶液B进行混合，转移至聚四氟乙烯内衬中，步骤四：将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放入烘箱，调节温度与时间，步骤六：反应完成后，取出衬底，使用乙醇、去离子水洗涤，氩气吹干，可以使用简单方法，绿色安全的批量生产Bi2O2Se。
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公开(公告)号：CN116219550A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310413511.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，使用水热法制备二维Bi2O2Se，步骤一：将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A，步骤二：在氢氧化钠溶液中加入水合肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B，步骤三：将溶液A和溶液B进行混合，转移至聚四氟乙烯内衬中，步骤四：将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放入烘箱，调节温度与时间，步骤六：反应完成后，取出衬底，使用乙醇、去离子水洗涤，氩气吹干，可以使用简单方法，绿色安全的批量生产Bi2O2Se。
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公开(公告)号：CN115787094A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210955942.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热，移动炉子加热生长原材料，调节气流量，使用低流量进行形核，达到预设沉积温度后，再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供的气流量调控硒化铋辅助生长法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法是一种可控制备大面积层状铋氧硒半导体薄膜的方法，在较低温下使用较低的气流量，可以减少形核，更利于生长。
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