公开(公告)号：CN107652601B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201711065757.9

申请日：2017-11-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨文澍 ,  赵旗旗 ,  李会 ,  伏捷瑞 ,  马一夫 ,  武高辉 ,  乔菁 ,  姜龙涛 ,  陈国钦 ,  张强 ,  康鹏超 ,  修子扬 ,  芶华松

IPC: C08L29/14 ,  C08K7/00 ,  C08K3/34 ,  C08J5/18

Abstract: 一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。

公开(公告)号：CN107652601A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201711065757.9

申请日：2017-11-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨文澍 ,  赵旗旗 ,  李会 ,  伏捷瑞 ,  马一夫 ,  武高辉 ,  乔菁 ,  姜龙涛 ,  陈国钦 ,  张强 ,  康鹏超 ,  修子扬 ,  芶华松

IPC: C08L29/14 ,  C08K7/00 ,  C08K3/34 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08J2329/04 ,  C08K3/34 ,  C08K7/00 ,  C08K2201/011

Abstract: 一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。

公开(公告)号：CN115901717A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211365926.1

申请日：2022-10-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李洋 ,  伏捷瑞 ,  赵守鑫 ,  徐成彦 ,  甄良

IPC: G01N21/65 ,  G02B27/28

Abstract: 一种基于光谱法判断二维铁弹材料的畴取向以及局域光学各向异性的调控方法，涉及二维纳米材料表征与畴结构调控技术领域。本发明是要解决目前二维铁弹材料难以通过透射电子显微镜等微观的表征方法表征畴取向，传统的铁弹畴调制方法由于过于不均匀的应变也难以在机械剥离的二维材料中得到控制的技术问题。本发明将二维铁弹材料置于通过偏振光显微镜引入的激光下，在收集拉曼信号端增加一个偏振方向可调的偏振片，旋转样品收集不同旋转角度的拉曼信号，通过拉曼信号的强度变化规律判断二维铁弹材料的畴取向，并通过外加应变调控二维铁弹材料中畴的分布。本发明是一种无损判断二维铁弹材料中畴的取向并实现有效调控的方法。