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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118073221B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410227091.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及先进封装三维倒装芯片键合过程中内部焊点可靠性的检测技术领域，更具体的说是一种多层倒装芯片三维封装内部缺陷位置及类型确定方法，包括以下步骤：步骤一、获取芯片的实际的横向、纵向、焊盘和焊点的热阻；步骤二、得出芯片在不同层数产生不同类型缺陷的温度值与预测的温度曲线，对其进行傅里叶变换，获得预测的最大温度值、相位值、振幅值；步骤三、对芯片进行实际键合，红外热像仪采集底层焊点的实际温度曲线，确定实际温度曲线的数据点数量与预测的温度曲线的数据点一致，并对实际测量的曲线进行傅里叶变换，将预测的最大温度值、最大相位值和预测的最大振幅值和实际实验测量中的数值进行对比，确定缺陷位置及其类型。
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公开(公告)号：CN118073241A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410226928.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及多层倒装芯片堆叠与一体化键合工艺技术领域。更具体的说是一种多层倒装芯片高柔顺性堆叠与一体化键合装置及方法，本发明的目的是解决多层倒装芯片一体化键合过程中，由于堆叠压力使用不当引起的芯片碎裂或键合空洞以及键合过程中焊料结构刚度变化引起的系统动态冲击问题。通过多层芯片进行一体化键合，在制造三维封装多层芯片的过程中，只进行一次加热处理，能降低因反复高温导致的焊点裂纹现象，配合压电陶瓷驱动器和宏观位移台控制键合头，能够降低多层芯片键合过程中焊点突然融化导致的动态冲击，从而能避免由于高速运动过程中造成芯片受压，避免芯片破碎、偏移等问题，以及避免焊球破裂和塌陷。
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公开(公告)号：CN118073221A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410227091.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及先进封装三维倒装芯片键合过程中内部焊点可靠性的检测技术领域，更具体的说是一种多层倒装芯片三维封装内部缺陷位置及类型确定方法，包括以下步骤：步骤一、获取芯片的实际的横向、纵向、焊盘和焊点的热阻；步骤二、得出芯片在不同层数产生不同类型缺陷的温度值与预测的温度曲线，对其进行傅里叶变换，获得预测的最大温度值、相位值、振幅值；步骤三、对芯片进行实际键合，红外热像仪采集底层焊点的实际温度曲线，确定实际温度曲线的数据点数量与预测的温度曲线的数据点一致，并对实际测量的曲线进行傅里叶变换，将预测的最大温度值、最大相位值和预测的最大振幅值和实际实验测量中的数值进行对比，确定缺陷位置及其类型。
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公开(公告)号：CN119905429A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510088048.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/603 , H01L21/607
Abstract: 本发明涉及多层芯片堆叠及键合领域，更具体的说是一种超声工艺辅助的多层芯片倒装堆叠及键合装置与工艺，步骤一：通过纵向位移台和横向位移台驱动真空堆叠吸头机构进行运动，使得真空堆叠吸头机构对芯片夹取堆叠放置在加热键合台上；步骤二：通过纵向位移台和横向位移台使得超声键合头机构运动到堆叠放置的芯片上，超声键合头机构的下方和待键合芯片缓慢接触后立刻停止；步骤三：启动加热键合台对堆叠芯片进行加热，达到指定温度值后，通过纵向位移台控制超声键合头机构施加40‑60MPa的键合预压力后，停止移动，然后启动超声键合头机构进行键合。
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公开(公告)号：CN118073241B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410226928.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及多层倒装芯片堆叠与一体化键合工艺技术领域。更具体的说是一种多层倒装芯片高柔顺性堆叠与一体化键合装置及方法，本发明的目的是解决多层倒装芯片一体化键合过程中，由于堆叠压力使用不当引起的芯片碎裂或键合空洞以及键合过程中焊料结构刚度变化引起的系统动态冲击问题。通过多层芯片进行一体化键合，在制造三维封装多层芯片的过程中，只进行一次加热处理，能降低因反复高温导致的焊点裂纹现象，配合压电陶瓷驱动器和宏观位移台控制键合头，能够降低多层芯片键合过程中焊点突然融化导致的动态冲击，从而能避免由于高速运动过程中造成芯片受压，避免芯片破碎、偏移等问题，以及避免焊球破裂和塌陷。
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