公开(公告)号：CN101693970B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910309011.7

申请日：2009-10-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高智勇 ,  吴迪 ,  张婕 ,  蔡伟 ,  吴冶

IPC: C22C22/00 ,  C22C1/02

Abstract: Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金，它涉及一种记忆合金。本发明解决了MnNiGa磁驱动合金比ΔM/ΔS值小的问题。本发明Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的分子式为Mn50Ni25Ga25-xSnx，分子式中x值为1～2。本发明的Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的添加了Sn元素，引起了磁晶各向异性的增加以及ΔM/ΔS比值的升高，均有利于在Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金中获得磁场诱发的马氏体相变，获得大的输出应力。

公开(公告)号：CN101693970A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910309011.7

申请日：2009-10-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高智勇 ,  吴迪 ,  张婕 ,  蔡伟 ,  吴冶

IPC: C22C22/00 ,  C22C1/02

Abstract: Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金，它涉及一种记忆合金。本发明解决了MnNiGa磁驱动合金比ΔM/ΔS值小的问题。本发明Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的分子式为Mn50Ni25Ga25-xSnx，分子式中x值为1～2。本发明的Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的添加了Sn元素，引起了磁晶各向异性的增加以及ΔM/ΔS比值的升高，均有利于在Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金中获得磁场诱发的马氏体相变，获得大的输出应力。