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公开(公告)号：CN115168997A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210770066.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F113/28 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供一种航天器空间辐照防护加固的方法，包括：测量航天器防护层的厚度，并确认所述防护层的材料属性；根据所述厚度和所述材料属性，构建防护层模型；通过蒙特卡罗模拟方法，使用空间粒子照射所述防护层模型，并对穿过所述防护层模型后的粒子角度进行统计分析；根据粒子角度的分布情况，为航天器空间辐照防护加固提供依据。本发明通过构建防护层模型，以不同空间粒子照射防护层模型得到穿过防护层后粒子角度分布结果，并根据此分析结果，对粒子强度较强的范围内进行重点防护，提高防护的针对性，不必对航天器进行整体防护，从而减轻航天器的总重量，不对航天器的发射产生影响。
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公开(公告)号：CN115083534A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210769724.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种机器学习力场开发误差函数选取方法，属于机器学习技术领域。所述方法包括：在训练起始阶段，将原子受力的初始权重大于能量的初始权重，在训练过程中，原子受力的权重由训练起始阶段原子受力的初始权重按指数随训练步数逐渐减小为训练结束时原子受力的最终权重，能量的权重由训练起始阶段能量的初始权重按指数随训练步数逐渐变化为训练结束时能量的最终权重。本发明通过在训练的不同阶段，给予能量和原子受力不同的权重，加快了机器学习力场训练的收敛速度，提高了最终的机器学习模型准确率，为构建准确表征材料各项理化性质的机器学习力场提供了必要基础。
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公开(公告)号：CN115083546B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210769735.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于从头算分子动力学方法计算材料离位阈能的方法，属于模拟技术领域，所述方法包括：建立与材料对应的体系模型；设定模拟参数，利用从头算分子动力学方法对所述体系模型进行离位阈能的模拟计算，并获取演化完成后的体系结构，其中，所述模拟参数包括PKA预设能量；根据所述体系结构的状态确定后续模拟计算所需施加的新的PKA能量，并进行再次模拟计算，直至所述体系结构中首次产生稳定缺陷，获取此时的PKA能量，并将其确定为所述材料的离位阈能。本发明解决了半导体材料离位阈能无法定量且准确计算的问题，且方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN116092603A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211618609.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种复合材料损伤分析方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：将复合材料单胞划分为六面体单元，获取各个六面体单元中节点的坐标信息；获取复合材料的纤维轮廓包络面方程；进而获取各个所述六面体单元的材料属性；根据坐标信息以及材料属性，构建得到复合材料的单胞模型；根据位移载荷信息以及复合材料的参数，获取单胞模型的单元平衡方程，然后获取总体平衡方程，再获取单胞模型的节点位移；根据节点位移，获取仿真计算结果，并根据仿真计算结果更新单胞模型中刚度矩阵和单元本构关系。本发明显著简化了复合材料建模过程，降低的建模难度，且不需要借助商业软件和二次开发，显著提高了复合材料损伤分析的效率。
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公开(公告)号：CN115186536A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210759852.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：利用分子动力学方法对半导体器件进行缺陷演化模拟，并获取所述半导体器件的缺陷愈合率；获取所述半导体器件的初始缺陷浓度，并根据所述初始缺陷浓度和所述缺陷愈合率，获得所述半导体器件的稳态缺陷浓度；将所述半导体器件的稳态缺陷浓度作为输入参数，进行所述半导体器件的性能模拟，获取所述半导体器件的性能与所述缺陷愈合率之间的关系。本发明在使用分子动力学方法获得缺陷愈合率之后，将愈合率作为输入参数进行半导体器件性能模拟，通过半导体器件的性能直观且准确地表征半导体器件辐照的缺陷愈合率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115169454A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769717.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种机器学习力场开发的数据集采样方法，属于机器学习技术领域。所述方法包括：利用初始构象作为训练集，训练得到多个机器学习力场；利用多个力场对材料的标定性质进行分子动力学模拟，获得模拟轨迹；计算模拟轨迹中每个构象的原子受力及平均原子受力；计算每个构象的标准差，根据标准差的大小确定数据集的候选构象；将候选构象作为初始构象重复上述步骤，直至新的候选构象达到设定比例时，完成数据集的采样。本发明具有明确的收敛准则，经过多轮迭代构建收敛的数据集，且数据集大小适中，既包含所有必要的信息，又能够节省计算资源，为构建准确表征材料各项理化性质的机器学习力场提供了必要基础。
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公开(公告)号：CN115169207A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762692.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F119/14 , G06F111/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供了一种基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取单个入射粒子辐照半导体器件产生的PKA的数量；对所述半导体器件进行网格划分，获取每个网格中所述初PKA的数量，建立与所述网格等大小的仿真体系模型；基于所述仿真体系模型，利用分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法对所述网格进行缺陷演化模拟，并获取所述入射粒子标定注量率下所述网格中的缺陷信息；对所有所述网格中的缺陷信息进行汇总，得到所述半导体器件的综合缺陷信息。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量率下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。
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公开(公告)号：CN115171821A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759862.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种机器学习力场开发方法。包括：使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟，获得MD模拟的每一帧构象及其势能和原子受力信息，通过训练得到多组机器学习力场，对半导体材料的标定性质进行分子动力学模拟，获得多条模拟轨迹，计算模拟轨迹中每一帧构象的信息，比较获取构象信息偏离平均值的构象为目标构象，对目标构象进行单点能计算，将分子动力学模拟的每一帧构象信息和目标构象信息作为数据库，训练得到最终的机器学习力场。本发明通过建立多组相似的机器学习力场模型，并比较其在半导体材料分子动力学模拟构象的势能和原子受力，有效地挑选了和实际工况接近的目标构象，从而建立准确表征半导体材料的机器学习力场。
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公开(公告)号：CN115169210A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769955.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06N3/00 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供一种灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法，包括：在Geant4环境中，通过几何描述标示语言建立半导体器件的结构模型；通过蒙特卡罗方法对辐射粒子入射所述半导体器件的物理过程进行仿真，得出所述半导体器件中的淀积电荷量以及敏感区域电荷收集量数据；通过步骤S2得到的数据计算出所述半导体器件的单粒子翻转效应；根据计算结果对所述半导体器件的抗辐射性能进行评估与优化。本发明提供的灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法步骤简单、易于操作，且计算效率较高，对粒子入射器件过程中的辐射屏蔽分析具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115146535A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762668.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G06K9/62 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料机器学习力场开发方法，包括使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟，获得MD中的每一帧构象的势能和原子受力信息；使用经验力场进行含PKA的MD模拟，获得含PKA的MD模拟轨迹；利用VASP软件对轨迹中的构象进行单点能计算，获取含PKA的MD模拟构象的势能和原子受力信息；将MD模拟和含PKA的MD模拟中的构象势能和原子受力信息作为数据库，训练得到机器学习力场。本发明使用经验力场进行含PKA的MD模拟，之后使用第一原理计算轨迹中构象的势能和原子受力，获得了和辐照缺陷演化实际工况接近的数据库，从而实现了建立准确表征材料中辐照缺陷演化过程的材料机器学习力场。
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