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公开(公告)号:CN118539901A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410595274.3
申请日:2024-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 一种下降沿斜率程序可调的高速高压脉冲产生方法及电路,属于电子电路技术领域,本发明为解决现有目前高速高压脉冲信号的下降沿斜率可调性差,并不能满足电光调Q二氧化碳激光器要求的问题。本发明采用两个串联的MOSFET作为产生高速高压脉冲的开关器件,采用n个串联连接的延迟线芯片生成n个驱动窄脉冲对第二主MOSFET的输入电容逐次充电,使第二主MOSFET栅极电压缓慢上升;通过调节任意相邻两个延迟线芯片之间的时间间隔,实现驱动窄脉冲间的时间间隔程序可调,进而控制第二主MOSFET栅极电压上升的速度,以控制第二主MOSFET漏源间电压曲线下降沿斜率,实现开关器件输出的高速高压脉冲信号下降沿斜率可调。
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公开(公告)号:CN115800968A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211491795.1
申请日:2022-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种基于时钟插补法的低抖动延时方法及系统,包括以下步骤:调节数字电路的时钟时序,得到用来驱动微处理器的存在相位差的多路时钟信号;利用所述时钟信号驱动微处理器对外部脉冲信号进行触发延时,得到延时输出信号;利用逻辑门对所述延时输出信号进行选择,得到低抖动延时信号;利用延时线芯片对所述延时信号输出的延时时间进行微调整,并输出调整后的所述低抖动延时信号。与现有技术方案对比,本发明所涉及的低抖动延时电路方案是一种数字电路的方法,其电路结构方案更为简单,体积较小,实现方式成本较低,并且通过该方法可以间接提高整个系统的时钟频率,从而降低延时信号的抖动。
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公开(公告)号:CN115694459A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202211425248.3
申请日:2022-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H03K17/687 , H01S3/091 , H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种脉宽可调的高速隔离驱动MOSFET的电路及方法,其电路结构包括驱动信号隔离传输模块、MOSFET导通控制开关和MOSFET关断控制开关;所述驱动信号隔离传输模块用于将脉冲驱动信号隔离传输至变压器次级端;所述MOSFET导通控制开关用于控制第一MOSFETQ1的输入电容充电回路的形成与关断;所述MOSFET关断控制开关用于控制第一MOSFETQ1的输入电容放电回路的形成与关断。本发明可实现高速隔离驱动MOSFET所产生的的输出信号脉冲宽度在纳秒至秒级范围内可调,并同时具有结构简单、性能可靠、成本低等优势,有利于在大范围的市场内推广。
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公开(公告)号:CN118426267A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410595275.8
申请日:2024-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于极紫外光刻机LPP光源脉宽可调谐种子光源装置,涉及一种光刻机LPP光源脉宽可调谐种子光源装置。本发明包括一组电光调Q射频波导腔倒空CO2激光器,以及一台高压脉冲信号可调谐装置,高压脉冲信号可调谐装置至少包括一个高速高压开关电路,高速高压开关电路包括第一主MOSFET M1、第二主MOSFET M2;第一主MOSFET M1的漏极与正电源+HV连接,第二主MOSFET M2的源极与地GND连接,第一主MOSFET M1的源极与第二主MOSFET M2的漏极连接;高速高压开关电路用于产生下降沿斜率程序可调的高速高压脉冲信号,高速高压脉冲信号用于对电光调Q射频波导腔倒空CO2激光器倒空腔结构中的调制晶体进行控制。
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