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发明公开
一种单晶热电材料及其制备方法与应用审中-实审

公开(公告)号：CN118007227A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410063700.9

申请日：2024-01-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 , 赵鹏 , 马晓静 , 张倩 , 曹峰

IPC: C30B11/00 , C30B33/02 , C30B29/52 , H10N10/01 , H10N10/852

Abstract: 本发明公开了一种单晶热电材料及其制备方法与应用。本发明单晶热电材料的制备方法包括如下步骤：于保护气氛下，制备原料经高温保温处理，降温后，得到所述单晶热电材料；其中所述制备原料包括镁源和铋源；所述降温速率包括0.01‑15℃/h。本发明中制得的单晶热电材料兼具高塑性变形能力以及高热电性能，用于柔性热电器件的前景好。

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