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公开(公告)号:CN118908992A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202410975573.X
申请日:2024-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) , 青海盐湖工业股份有限公司
Abstract: 本发明属于合成医药、化工技术领域,公开了一种2,2’‑双(三甲基硅基)‑1,1’‑联苯类化合物的合成方法。本发明合成方法是在非均相钯/磷酸钙或钯/磷酸镁催化剂的作用下,依次使用化学选择性铃木偶联反应和碳氢键硅基化反应“两步法”合成2,2’‑双(三甲基硅基)‑1,1’‑联苯类化合物。本发明方法具有操作简便、总收率高、合成成本低、工艺安全性高、底物范围广等优点;同时采用非均相钯催化剂,实现催化剂循环使用,进一步降低催化剂成本。
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公开(公告)号:CN118852231A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410975772.0
申请日:2024-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) , 青海盐湖工业股份有限公司
Abstract: 本发明属于有机合成领域,公开了一种非均相钯催化的C(sp2)‑H键硅基化反应,本发明在非均相钯/磷酸钙或钯/磷酸镁催化剂的作用下,将2‑卤素‑1,1’‑联苯及其衍生物与六甲基二硅烷、碱、配体和溶剂混合,发生碳‑氢键硅基化反应,制备得到硅基化产物。本发明通过筛选配体、溶剂以及温度等实验参数,扩展了碳‑氢键硅基化反应的底物范围至溴代、氯代化合物,采用非均相钯催化剂,所述催化剂可循环使用五次且催化性能无明显下降,产物中金属残留低,钯含量低于1ppm。
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公开(公告)号:CN118852159A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410974779.0
申请日:2024-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) , 青海盐湖工业股份有限公司
IPC: C07D471/04 , B01J27/18 , B01J31/26
Abstract: 本发明属于化学领域,具体涉及一种非均相钯催化选择性铃木偶联反应及其在威罗菲尼中间体合成中的应用,该发明以非均相钯/磷酸钙或钯/磷酸镁为催化剂,并应用于芳基硼酸和芳基卤代烃的铃木偶联之中。本发明通过使用非均相钯催化剂,实现高化学选择性铃木偶联,金属残留低、环保且适用性广泛,可应用于威罗菲尼中间体的合成。
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公开(公告)号:CN119050469A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411462555.8
申请日:2024-10-18
Applicant: 青海盐湖工业股份有限公司 , 中国科学院青岛生物能源与过程研究所
IPC: H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M10/054 , H01M10/42 , C08G65/20 , C08G65/26 , C08G65/16
Abstract: 本发明提供了一种凝胶电解质组合物、凝胶电解质及其制备方法和镁离子电池。以重量份数计,该凝胶电解质组合物包括25~75份的醚类化合物、15~45份的镁盐以及0.1~15份的路易斯酸催化剂。凝胶电解质组合物中的路易斯酸催化剂由于缺电子进攻醚类化合物中多电子的氧,从而催化醚类化合物发生开环聚合反应形成凝胶聚合物,该凝胶聚合物能够帮助镁盐解离,从而有助于提高凝胶电解质的室温电导率,将该凝胶电解质应用于镁离子电池中,有利于使得镁金属负极进行均匀地沉积和溶出,从而有助于提高镁金属负极与凝胶电解质之间界面的稳定性。
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公开(公告)号:CN118183801A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410486809.3
申请日:2024-04-22
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所 , 青海盐湖工业股份有限公司
IPC: C01D15/02
Abstract: 本发明公开了一种利用盐湖卤水为原料制备单水氢氧化锂的方法。所述方法包括:提供含锂卤水,所述含锂卤水是盐湖老卤经过提钾、精制获得的;对所述含锂卤水进行蒸发处理并至少使含锂卤水中的钠/锂比值降至0.1以下,再经分离处理,获得富锂溶液;以及,在搅拌的条件下,将碱溶液加入所述富锂溶液中进行反应结晶,再经分离获得单水氢氧化锂和母液。本发明提供的制备方法可解决利用盐湖卤水资源生产氢氧化锂的技术,同时该方法能耗少、投入少、简单可行且便于实施。
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公开(公告)号:CN118867193A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202411080083.X
申请日:2024-08-07
Applicant: 青海盐湖工业股份有限公司 , 北京化工大学
Abstract: 本发明提供了一种储镁电极材料、其制备方法及应用。储镁电极材料包括钼基阳极和生长在钼基阳极表面的α/β混相MoO3纳米管阵列材料,钼基阳极的材料包括具有M元素掺杂的钼基合金,M元素包括Ti和Zr。本发明的储镁电极材料,包括钼基阳极和α/β混相MoO3纳米管阵列材料,其中,微量Ti/Zr掺杂的α‑MoO3/β‑MoO3纳米管阵列生长在钼基合金基底上,原位离子掺杂和α/β混相MoO3纳米管阵列材料一维有序纳米结构的构筑,有效提升了储镁电极材料的储镁能力;而且,金属(Ti/Zr)离子的引入,有利于构筑α/β混相MoO3和纳米管阵列结构;本发明储镁电极材料具有高容量、高导离子性和高稳定性。
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