公开(公告)号：CN102983171B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210532877.6

申请日：2012-12-11

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  单婵 ,  曹菲 ,  胡海帆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。所述漏扩展区106、沟道区107、源区108和漏区111的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019～8×1019cm-3；所述多晶硅栅110为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm-3。本发明提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直无结环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直无结环栅MOSFET的制造方法。

公开(公告)号：CN102983171A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210532877.6

申请日：2012-12-11

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  单婵 ,  曹菲 ,  胡海帆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。所述漏扩展区106、沟道区107、源区108和漏区111的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019～8×1019cm-3；所述多晶硅栅110为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm-3。本发明提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直无结环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直无结环栅MOSFET的制造方法。

公开(公告)号：CN102931237B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210381165.9

申请日：2012-10-10

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  单婵 ,  曹菲 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。本发明本提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直非对称环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直非对称环栅MOSFET的制造方法。

公开(公告)号：CN102931237A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210381165.9

申请日：2012-10-10

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  单婵 ,  曹菲 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。本发明本提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直非对称环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直非对称环栅MOSFET的制造方法。