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公开(公告)号:CN113549804A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202110737427.X
申请日:2021-06-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供一种低中子吸收ZrTiNbAlTa难熔铸造高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、Ta=20.6靶;合金表达式为ZraTibNbcAldTae,合金表达式中a、b、c、d、e分别表示各元素的原子百分含量,且满足以下条件:a=30‑40at.%,b=20‑35at.%,c=15‑30at.%,d=2‑25at.%,e=2‑25at.%,a+b+c+d+e=100。本发明合金具有更低的中子吸收截面,力学性能获得显著提升,该合金在核电等关键高技术领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN113549805A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202110748405.3
申请日:2021-06-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供一种ZrTiNbAlTa低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、Ta=20.6靶;合金表达式为ZraTibNbcAldTae,合金表达式中a、b、c、d、e分别表示各元素的原子百分含量,且满足以下条件:a=20‑40at.%,b=20‑35at.%,c=10‑30at.%,d=2‑25at.at.%,e=2‑25at.%,a+b+c+d+e=100;该难熔高熵合金的制备方法包括下述步骤:(1)高熵合金的冶炼与铸造;(2)冷轧;(1)退火。
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