公开(公告)号：CN118730983A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411018033.9

申请日：2024-07-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王鹏飞 ,  尹钰 ,  昌明慧 ,  李施 ,  高御淳 ,  党凡阳

IPC: G01N21/59 ,  G01D5/26

Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉的重金属离子检测的传感器，包括依次同轴熔接的第一单模光纤、渐变折射率多模光纤、无芯光纤、第二单模光纤和MoS2纳米片，所述无芯光纤包括位于所述无芯光纤中部位置的拉锥区，所述拉锥区通过将所述无芯光纤加热熔融拉制形成微纳光纤，所述MoS2纳米片通过光沉积的作用修饰在所述拉锥区的表面上，使用时，待测液体分析物注入所述拉锥区内并覆盖住所述MoS2纳米片。本发明还公开了一种基于多模干涉的重金属离子检测的传感器的制备方法。本发明通过拉锥无芯光纤形成锥区传感单元，将二维MoS2纳米片直接沉积在无芯光纤锥区处，相较于SPR传感器和基于荧光效应的重金属离子传感器，结构相对简单，成本低，制作方法简单高效。

公开(公告)号：CN118730984A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411019877.5

申请日：2024-07-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王鹏飞 ,  尹钰 ,  昌明慧 ,  李施 ,  高御淳 ,  党凡阳

IPC: G01N21/59 ,  G02B6/02 ,  G02B6/293 ,  G01D5/26

Abstract: 本发明公开了一种对汞离子特异性检测的重金属离子传感器，包括低折射率紫外胶中空棒、微纳光纤卷型谐振器和MoS2纳米片；所述微纳光纤卷型谐振器绕制在所述低折射率紫外胶中空棒上并固定，所述MoS2纳米片通过光沉积作用沉积在所述微纳光纤卷型谐振器与所述低折射率紫外胶中空棒贴合的区域。还公开了一种如上所述的对汞离子特异性检测的重金属离子传感器的制备方法。本发明具有灵敏度高、机械稳定性强、高选择性的优点，可对汞离子产生有效的特异性吸附，拓宽了微纳卷型谐振器传感器在汞离子特异性痕量检测中的应用，有广泛的应用推广前景。