一种双稀土掺杂改性耐磨合金铸铁及制备方法

    公开(公告)号:CN105779859A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610289488.3

    申请日:2016-05-04

    CPC classification number: C22C37/10 C22C33/08

    Abstract: 本发明提供的是一种双稀土掺杂改性耐磨合金铸铁及制备方法。配置重量百分比含量为C:3.1~3.2%、Si:0.9%、Mn:0.6%、Cu:1.0~1.5%、P:0.2~0.4%、B:0.02~0.04%、S:0.0005%及Fe的混合物;在熔炼炉中,将配置的原料在1500~1550℃熔炼,得到铁水;浇包之前加入La:0.01~0.4%、Ce:0.01~0.7%,之后倒入浇包中进行包内孕育,孕育时间为10±2分钟,铁水的出炉温度为1400~1450℃;浇铸得到双稀土掺杂改性耐磨合金铸铁。本发明成本低、耐磨性高,适用于制造汽车、船舶等缸套或者活塞环等摩擦件,并且工艺简单。

    一种纳米金属间化合物复相强化铝合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN115584416B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202211226695.6

    申请日:2022-10-09

    Abstract: 一种纳米金属间化合物复相强化铝合金及其制备方法,它涉及强化铝合金及其制备方法。本发明要解决现铝合金析出相尺寸调控是通过热轧引入缺陷及调整合金的热处理工艺来实现的,但是该方法需要大变形量的热轧来引入位错,且热轧后需要较长时间的时效来达到合金峰值机械性能,耗能较高,耗时较长的问题。纳米金属间化合物复相强化铝合金按质量百分数由Cu、Mg、Mn、Ti和余量Al组成;方法:一、称取;二、铸造;三、均匀化;四、热轧;五、冷轧;六、固溶;七、时效。本发明用于纳米金属间化合物复相强化铝合金及其制备。

    一种双稀土掺杂改性耐磨合金铸铁及制备方法

    公开(公告)号:CN105779859B

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201610289488.3

    申请日:2016-05-04

    Abstract: 本发明提供的是一种双稀土掺杂改性耐磨合金铸铁及制备方法。配置重量百分比含量为C:3.1~3.2%、Si:0.9%、Mn:0.6%、Cu:1.0~1.5%、P:0.2~0.4%、B:0.02~0.04%、S:0.0005%及Fe的混合物;在熔炼炉中,将配置的原料在1500~1550℃熔炼,得到铁水;浇包之前加入La:0.01~0.4%、Ce:0.01~0.7%,之后倒入浇包中进行包内孕育,孕育时间为10±2分钟,铁水的出炉温度为1400~1450℃;浇铸得到双稀土掺杂改性耐磨合金铸铁。本发明成本低、耐磨性高,适用于制造汽车、船舶等缸套或者活塞环等摩擦件,并且工艺简单。

    叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管

    公开(公告)号:CN102208456B

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201110129276.6

    申请日:2011-05-18

    CPC classification number: H01L29/872

    Abstract: 本发明提供的是一种叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管。包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、叠置P+-P结构P+部分(102)、阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、肖特基接触(107)、欧姆接触(108),还包括叠置P+-P结构P部分(103),叠置P+-P结构P+窗口部分(102)在叠置P+-P结构P窗口部分(103)上面。本发明在形成区域叠置P+-P结构P+部分前,形成类似JBS网状的一层相互分离的区域叠置P+-P结构P部分,在不牺牲器件正向导通特性的前提下,提高结势垒肖特基二极管器件的反向耐压,同时降低输出电容。本发明具有很强的可实施性,更易满足功率电子系统的应用要求。

    一种改进的混合整流二极管结构

    公开(公告)号:CN102263139A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201110136633.1

    申请日:2011-05-24

    CPC classification number: H01L29/872

    Abstract: 本发明提供的是一种改进的混合整流二极管结构,包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107);还包括有源区结P部分(103),所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分区域(102)。本发明将结终端保护环与二极管有源区同时形成,并且所有区域102都在区域103中形成,在不牺牲器件正向特性,输出电容的前提下,提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本发明与普通MPS、JBS工艺兼容,具有很强的可实施性,更易满足功率电子系统的应用要求。

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