-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116791277A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310555772.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高耐温复合电介质及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明将ITIC填充到具有高击穿、高储能效率的聚醚酰亚胺基体中来制备复合介质，其中多浓度ITIC协同的作用，解决了聚醚酰亚胺在高温高场下随着电极注入电子会导致电荷的注入和介质内电荷迁移。降低了聚醚酰亚胺传导损耗和热损耗，提升其绝缘性能和储能效率。并且本发明在基础上，加入聚醚砜，当PESU分子链添加到PEI中会使得分子链的间距增加，减少偶极子转向产生的转向损耗，提升了储能效率；同时PESU中砜基和分子间距的增加也会给介电常数带来了一定的提升；再者砜基与PEI甲基上的氢也可以形成氢键使得击穿强度得到一定的提升。
-
公开(公告)号：CN116791277B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310555772.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高耐温复合电介质及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明将ITIC填充到具有高击穿、高储能效率的聚醚酰亚胺基体中来制备复合介质，其中多浓度ITIC协同的作用，解决了聚醚酰亚胺在高温高场下随着电极注入电子会导致电荷的注入和介质内电荷迁移。降低了聚醚酰亚胺传导损耗和热损耗，提升其绝缘性能和储能效率。并且本发明在基础上，加入聚醚砜，当PESU分子链添加到PEI中会使得分子链的间距增加，减少偶极子转向产生的转向损耗，提升了储能效率；同时PESU中砜基和分子间距的增加也会给介电常数带来了一定的提升；再者砜基与PEI甲基上的氢也可以形成氢键使得击穿强度得到一定的提升。
-
公开(公告)号：CN117866127B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
-
公开(公告)号：CN118667197A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410799987.1
申请日：2024-06-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高耐压的复合电介质绝缘薄膜及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明解决了现有电介质绝缘薄膜的击穿性能差和介电损耗大的问题。本发明首先合成了以Ce(Ⅲ)为核、Al为环的金属有机团簇Ce@Al，并在聚醚酰亚胺(PEI)基体中掺杂适量。本发明利用金属有机团簇Ce@Al与聚醚酰亚胺介质能实现高度混合，团簇外围的苯基使其拥有良好稳定性，且Ce@Al阳离子团簇之间的静电排斥力保证了Ce@Al在介质中的均匀分布。此外，本发明合成的Ce@Al结构中的三价离子提供了高偶极矩，并且拥有强大的电荷散射和捕获能力，可以有效的抑制介质内部电荷的运动，实现复合介质绝缘性能的大幅提升。
-
公开(公告)号：CN117866127A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.018 seconds)
