公开(公告)号：CN103922735B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410154935.5

申请日：2014-04-17

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 迟庆国 ,  张昌海 ,  陈阳 ,  刘刚 ,  崔洋 ,  何霞霞 ,  王语柠

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法，它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高，不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题，本方法如下：制备溶液F，溶胶E；制备溶胶D；制备钛酸铅镧钙溶胶；制备锆钛酸钡钙溶胶；在基底上制备种子层薄膜，在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶，热分解，晶化处理，即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构，表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入，在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构，表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。

公开(公告)号：CN103922735A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410154935.5

申请日：2014-04-17

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 迟庆国 ,  张昌海 ,  陈阳 ,  刘刚 ,  崔洋 ,  何霞霞 ,  王语柠

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法，它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高，不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题，本方法如下：制备溶液F，溶胶E；制备溶胶D；制备钛酸铅镧钙溶胶；制备锆钛酸钡钙溶胶；在基底上制备种子层薄膜，在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶，热分解，晶化处理，即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构，表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入，在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构，表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。