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公开(公告)号：CN118549002A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410301918.3
申请日：2024-03-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01K7/01 , H03M1/12 , H03K19/0175
Abstract: 一种基于MOS晶体管的温度传感器，属于集成电路设计与集成系统领域。其主要结构包括：传感核心模块(1)、模拟接口模块(2)、模数转换器模块(3)、模拟缓冲器模块(4)、采样模块(5)以及两相时钟模块(6)。传感核心模块(1)产生方波信号VA1发送给模拟接口模块(2)。模拟接口模块(2)将信号VA1转换为相应的电压VA2发送给模数转换器模块(3)以及模拟缓冲器模块(4)。模数转换器模块(3)将信号VA2转换为数字域的信号输出。模拟缓冲器模块(4)通过采样模块(5)将信号VA2转换为模拟域的信号输出。整个系统通过两相时钟模块(6)进行控制。本发明专利具有高分辨率、低相对不准确性以及低成本的指标。
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