公开(公告)号：CN115189145B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202210592509.4

申请日：2022-05-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张琨 ,  刘锐 ,  谭昌龙 ,  王晓川 ,  刘瑞娴 ,  田晓华

IPC: H01Q17/00 ,  H01Q15/00 ,  G02F1/17 ,  G02B5/00

Abstract: 一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明是为解决现有太赫兹超材料结构复杂、调控方式有限、功能单一的问题。它由谐振结构薄膜层、光激硅层、介电质层和接地金属层组成；所述谐振结构薄膜层由N×N个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元由Cayley树金属谐振器和十字形谐振器组成；一阶树形分支和二阶树形分支以十字形谐振器的中心对称，两个三阶树形分支以十字形谐振器的中心对称。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料吸收器。

公开(公告)号：CN115189145A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210592509.4

申请日：2022-05-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张琨 ,  刘锐 ,  谭昌龙 ,  王晓川 ,  刘瑞娴 ,  田晓华

IPC: H01Q17/00 ,  H01Q15/00 ,  G02F1/17 ,  G02B5/00

Abstract: 一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明是为解决现有太赫兹超材料结构复杂、调控方式有限、功能单一的问题。它由谐振结构薄膜层、光激硅层、介电质层和接地金属层组成；所述谐振结构薄膜层由N×N个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元由Cayley树金属谐振器和十字形谐振器组成；一阶树形分支和二阶树形分支以十字形谐振器的中心对称，两个三阶树形分支以十字形谐振器的中心对称。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料吸收器。