公开(公告)号：CN113773541B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202111170486.X

申请日：2021-10-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 林家齐 ,  延妮 ,  刘欣美

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08K9/06 ,  C08K3/24

Abstract: 本发明公开了一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，首先，使用3‑(2‑氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。之后通过原位聚合法制备PI基复合薄膜前驱体，并在80‑330摄氏度温度下加热，进行热亚胺化，制备出具有质量分数为百分之3‑11的KTN‑NH2/PI复合薄膜。与KTN/PI相比，KTN‑NH2/PI复合薄膜的击穿场强可达242.12千伏/毫米，是KTN/PI的1.49倍。在测试频率为1.0×105赫兹时，含质量分数为百分之3的KTN‑NH2/PI复合薄膜的损耗角正切值均低于0.007。

公开(公告)号：CN113773541A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111170486.X

申请日：2021-10-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 林家齐 ,  延妮 ,  刘欣美

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08K9/06 ,  C08K3/24

Abstract: 本发明公开了一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，首先，使用3‑(2‑氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。之后通过原位聚合法制备PI基复合薄膜前驱体，并在80‑330摄氏度温度下加热，进行热亚胺化，制备出具有质量分数为百分之3‑11的KTN‑NH2/PI复合薄膜。与KTN/PI相比，KTN‑NH2/PI复合薄膜的击穿场强可达242.12千伏/毫米，是KTN/PI的1.49倍。在测试频率为1.0×105赫兹时，含质量分数为百分之3的KTN‑NH2/PI复合薄膜的损耗角正切值均低于0.007。