公开(公告)号：CN104810575A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510175224.0

申请日：2015-04-14

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 吴丰民 ,  张景云 ,  张昊 ,  姬广举 ,  李珊 ,  刘佳宝 ,  张凌睿 ,  林博伦

IPC: H01P1/00

Abstract: 一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件。本发明涉及一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件。本发明是为解决现有的太赫兹超材料调谐器存在调谐频率单一、调谐深度较小的问题。一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件由衬底、绝缘介质层和开口谐振环结构石墨烯层组成，所述衬底水平设置在最下层，所述绝缘介质层平行设置在衬底的上表面上，所述开口谐振环结构石墨烯层平行设置在绝缘介质层的上表面的中间位置。本发明用于太赫兹通讯领域。

公开(公告)号：CN204441426U

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201520223525.1

申请日：2015-04-14

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 姬广举 ,  张昊 ,  张凌睿 ,  李珊 ,  刘佳宝 ,  林博伦 ,  张景云 ,  吴丰民

IPC: H01P1/00

Abstract: 一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件。本实用新型涉及一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件。本实用新型是为解决现有的太赫兹超材料调谐器存在调谐频率单一、调谐深度较小的问题。一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件由衬底、绝缘介质层和开口谐振环结构石墨烯层组成，所述衬底水平设置在最下层，所述绝缘介质层平行设置在衬底的上表面上，所述开口谐振环结构石墨烯层平行设置在绝缘介质层的上表面的中间位置。本实用新型用于太赫兹通讯领域。