公开(公告)号：CN118403643A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410479063.3

申请日：2024-04-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  程浩 ,  董丽敏 ,  李丹 ,  姚学远 ,  门同华 ,  马浩

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/39 ,  B01J37/10 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种Cu2MoS4/ZnIn2S4复合光催化材料的制备方法，复合速率快，电子传输能力差，材料光吸收效率受限，导致光催化产氢性能差的技术问题。方法：一、通过溶剂热法制备Cu2MoS4；二、通过水浴法制备Cu2MoS4/ZnIn2S4。本方法首次合成了片/片Cu2MoS4/ZnIn2S4二元复合材料，而且Cu2MoS4/ZnIn2S4在可见光下有很好的产氢效果产氢效果，Cu2MoS4与ZnIn2S4之间构成了异质结，很好地提高了材料对光的吸收范围，在光照情况下有利于光生电子和空穴的转移效率，有利于提高光生电子的利用率，有利于提高材料的光催化产氢效果。本发明用于制备复合光催化材料。

公开(公告)号：CN118237051A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410270338.2

申请日：2024-03-09

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  王晓 ,  董丽敏 ,  李丹 ,  程浩 ,  郝彦程 ,  章子欢 ,  潘继坤

IPC: B01J27/057 ,  B01J35/39 ,  B01J37/08 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种CdSe/Co3O4复合光催化材料及其制备方法，本发明涉及光催化复合材料领域。本发明解决了单纯的CdSe禁带宽度窄，光生载流子复合速率快，导致光催化产氢性能不高以及稳定性不高的技术问题。方法：一、通过溶剂热法和马弗炉煅烧制备绣花球状Co3O4；二、通过溶剂热法在Co3O4表面生长CdSe。本方法首次合成了CdSe/Co3O4二元复合材料，Co3O4是很好的光催化助催化剂，CdSe与Co3O4之间构成了异质结，Co3O4可以有效的解决CdSe电子和空穴结合的问题，大大提高了CdSe的产氢性能。本发明用于制备复合光催化材料。

公开(公告)号：CN118598681A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410592803.4

申请日：2024-05-14

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  程浩 ,  董丽敏 ,  李丹 ,  王晓

IPC: C04B37/00

Abstract: 本发明涉及陶瓷连接技术领域，具体而言，涉及一种多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法；该方法包括：步骤S1、将多孔氮化硅陶瓷在酚醛树脂溶液中真空浸渗后，进行固化处理，得到预处理多孔氮化硅陶瓷；步骤S2、将所述预处理多孔氮化硅陶在第一预设真空度下进行加热处理，得到渗碳多孔氮化硅陶瓷；步骤S3、在两块所述渗碳多孔氮化硅陶瓷之间设置SiTi22合金钎料，以形成钎料层，得到组合待焊接件；步骤S4、将所述组合待焊接件在第二预设真空度下进行烧结处理，冷却处理后，得到多孔氮化硅基陶瓷接头。采用本发明方法制得的多孔氮化硅基陶瓷接头具有更高的使用温度和强度。

公开(公告)号：CN118162172A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311861657.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  程浩 ,  董丽敏 ,  李丹 ,  田硕 ,  王晓 ,  郝彦程 ,  何琳

IPC: B01J27/057 ,  B01J35/39 ,  B01J37/20 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种CoSe/ZnIn2S4复合光催化材料的制备方法，本发明涉及光催化复合材料领域。本发明解决了ZnIn2S4光生载流子复合速率快，电子传输能力差，材料光吸收效率受限，导致光催化产氢性能差的技术问题。方法：一、通过溶剂热制备Co(CO3)0.35Cl0.20(OH)1.10前驱体；二、通过溶剂热法将前驱体硒化成CoSe；三、通过水浴法制备CoSe/ZnIn2S4。本方法首次合成了纳米棒/片CoSe/ZnIn2S4二元复合材料，而且CoSe/ZnIn2S4在可见光下有很好的产氢效果产氢效果，CoSe与ZnIn2S4之间构成了异质结，很好地提高了材料对光的吸收范围，在光照情况下有利于光生电子和空穴的转移效率，提高了光生电子的利用率，提高了材料的光催化效果。本发明用于制备复合光催化材料。

公开(公告)号：CN118788361A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410764270.3

申请日：2024-06-13

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  郝彦程 ,  董丽敏 ,  李丹 ,  王晓 ,  程浩 ,  潘继坤 ,  章子欢

IPC: B01J27/04 ,  B01J23/10 ,  B01J37/03 ,  B01J37/08 ,  B01J37/04 ,  B01J35/39 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明提供一种ZnCdS/CeO2复合光催化材料的制备方法，本发明涉及到复合光催化材料领域。本发明提供了一种解决单的纯ZnCdS固溶体由于光激发载流子的快速重组，导致光催化效率低以及稳定性差的方法。方法：一、通过水热法和辅助煅烧法制备纳米片状CeO2；二、通过溶剂热法在CeO2表面生长ZnCdS固溶体。本发明首次合成了ZnCdS/CeO2复合光催化材料，CeO2是很好的稀土氧化物助催化剂，ZnCdS/CeO2之间构成了异质结，复合材料光催化性能的提高可归因于ZnCdS固溶体与CeO2之间的协同作用，抑制了ZnCdS固溶体纳米颗粒的团聚的问题，从而提高了ZnCdS固溶体的产氢性能。

公开(公告)号：CN118719159A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410764239.X

申请日：2024-06-13

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  王晓 ,  董丽敏 ,  李丹 ,  程浩 ,  郝彦程 ,  章子欢 ,  潘继坤

IPC: B01J35/39 ,  B01J27/057 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种CdSe/Co9S8复合光催化材料的制备方法，本发明涉及光催化复合材料领域。本发明提供了一种解决单纯的CdSe禁带宽度窄，光生载流子复合速率快，导致光催化产氢性能不高以及稳定性不高的方法。方法：一、通过溶剂热法制备管状Co9S8；二、通过溶剂热法在Co9S8表面生长CdSe。本方法首次合成了CdSe/Co9S8二元复合材料，Co9S8是很好的光催化助催化剂，CdSe与Co9S8之间构成了异质结，Co9S8可以有利于CdSe的光生电子和空穴的转移，提高了光的利用率，得到了良好的产氢性能。本发明用于制备复合光催化材料。