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公开(公告)号：CN114559719A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210191175.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合材料薄膜不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。方法：将P(VDF‑HFP)薄膜置于两层FPE薄膜之间，进行热压工艺处理，最后冷却，得到高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜。本发明可获得一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法。
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公开(公告)号：CN114854061B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210575773.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用，涉及聚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决以聚酰亚胺为基体的传统复合材料薄膜通常介电常数低，并且掺杂填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：将五氧化二铌施主掺杂二氧化硅颗粒a加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，超声，然后向混合溶液b中加入4,4′‑二氨基二苯醚，超声，再将3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐加入到混合溶液c中，搅拌得到混合溶液d；最后将混合溶液d成膜，得到施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜。本发明可获得一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN114559719B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210191175.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合材料薄膜不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。方法：将P(VDF‑HFP)薄膜置于两层FPE薄膜之间，进行热压工艺处理，最后冷却，得到高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜。本发明可获得一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法。
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公开(公告)号：CN114854061A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210575773.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用，涉及聚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决以聚酰亚胺为基体的传统复合材料薄膜通常介电常数低，并且掺杂填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：将五氧化二铌施主掺杂二氧化硅颗粒a加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，超声，然后向混合溶液b中加入4,4′‑二氨基二苯醚，超声，再将3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐加入到混合溶液c中，搅拌得到混合溶液d；最后将混合溶液d成膜，得到施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜。本发明可获得一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用。
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