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公开(公告)号：CN112562984B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202011321891.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司 , 武汉海奥电气有限公司
Abstract: 本发明属于电力系统无功补偿技术领域，公开了一种曲线磁阀结构、曲线磁阀式可控电抗器及应用，曲线磁阀结构在确定最大最小截面积比后根据高斯积分和粒子群优化算法拟合磁阀曲线，获得使谐波最低的磁阀形状。不同的最大截面与最小截面面积比Kl，大于1小于3。曲线磁阀式可控电抗器包括I、II两个对称工作柱铁心，每一个工作柱铁心中间具有一个长度为l的小截面段，小截面段为曲线磁阀结构；曲线磁阀结构磁阀两端分别对称地分布绕组，上下两绕组均接有抽头，通过可控硅K1,K2连接，两工作柱铁心的上下绕组通过交叉连接后并联至电网，续流二极管D横跨在交叉端点。相比传统磁阀式可控电抗器，本发明能够满足国家标准的同时降低成本。
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公开(公告)号：CN112487693B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011321870.0
申请日：2020-11-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司 , 武汉海奥电气有限公司
IPC: G06F30/25 , G06N3/00 , H01F27/24 , H01F27/28 , H01F29/00 , H01F37/00 , H02J3/01 , H02J3/18 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于电力系统无功补偿技术领域，公开了一种曲线磁阀式可控电抗器谐波优化方法、系统及应用，对曲线磁阀的谐波数学模型的谐波优化转化为对高斯点的谐波优化，对高斯点xi采用粒子群优化算法后得到的最优高斯点，并通过高斯点x'式进行反变换，得到原积分空间[0,l]内的最优高斯点，然后通过拟合得到磁阀曲线f(x)。本发明曲线磁阀结构磁阀两端分别对称地分布绕组，上下两绕组均接有抽头，通过可控硅K1,K2连接，两工作柱铁心的上下绕组通过交叉连接后并联至电网，续流二极管D横跨在交叉端点。相比传统磁阀式可控电抗器，本发明能够满足国家标准的同时降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112562984A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011321891.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司 , 武汉海奥电气有限公司
Abstract: 本发明属于电力系统无功补偿技术领域，公开了一种曲线磁阀结构、曲线磁阀式可控电抗器及应用，曲线磁阀结构在确定最大最小截面积比后根据高斯积分和粒子群优化算法拟合磁阀曲线，获得使谐波最低的磁阀形状。不同的最大截面与最小截面面积比Kl，大于1小于3。曲线磁阀式可控电抗器包括I、II两个对称工作柱铁心，每一个工作柱铁心中间具有一个长度为l的小截面段，小截面段为曲线磁阀结构；曲线磁阀结构磁阀两端分别对称地分布绕组，上下两绕组均接有抽头，通过可控硅K1,K2连接，两工作柱铁心的上下绕组通过交叉连接后并联至电网，续流二极管D横跨在交叉端点。相比传统磁阀式可控电抗器，本发明能够满足国家标准的同时降低成本。
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公开(公告)号：CN112487693A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011321870.0
申请日：2020-11-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司 , 武汉海奥电气有限公司
IPC: G06F30/25 , G06N3/00 , H01F27/24 , H01F27/28 , H01F29/00 , H01F37/00 , H02J3/01 , H02J3/18 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于电力系统无功补偿技术领域，公开了一种曲线磁阀式可控电抗器谐波优化方法、系统及应用，对曲线磁阀的谐波数学模型的谐波优化转化为对高斯点的谐波优化，对高斯点xi采用粒子群优化算法后得到的最优高斯点，并通过高斯点x'式进行反变换，得到原积分空间[0,l]内的最优高斯点，然后通过拟合得到磁阀曲线f(x)。本发明曲线磁阀结构磁阀两端分别对称地分布绕组，上下两绕组均接有抽头，通过可控硅K1,K2连接，两工作柱铁心的上下绕组通过交叉连接后并联至电网，续流二极管D横跨在交叉端点。相比传统磁阀式可控电抗器，本发明能够满足国家标准的同时降低成本。
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公开(公告)号：CN110690029A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911003041.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 武汉海奥电气有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铁芯结构及虚拟气隙式可控电抗器(VCR)，所述工作柱铁芯包括上下两部分，所述上下两部分之间间隔有一段用于降低损耗的虚拟气隙，所述虚拟气隙为填充的低损耗导磁材料；所述可控电抗器具有上述铁芯结构。本发明具有该铁芯结构的虚拟气隙式可控电抗器相较于TCR与MCR具有更低的谐波含量，且涡流损耗和磁滞损耗比MCR更低，经济性更好。
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公开(公告)号：CN110718370A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910964930.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 武汉海奥电气有限公司
Abstract: 本发明涉及一种双五柱三相可控电抗器铁心及绕组结构，其包括结构相同的前五柱铁心和后五柱铁心，两铁心并排放置，所述铁心包括中间三工作柱铁心以及分别位于三柱铁心两侧的旁轭铁心，五柱铁心通过上下轭连接；三个工作柱铁心依次绕有ABC三相绕组，且位于中间工作柱铁心上的B相绕组与两侧的A、C相绕组相反，A、C相绕组直流磁通通过相邻旁轭以及B相工作柱形成闭合回路，ABC三相交流磁通相加为0，铁芯中各处磁通均匀分布。本发明结构简单，能够降低磁致伸缩所产生的噪声，减少损耗，还能避免直流磁通与交流磁通垂直分布时所产生的漏磁。
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公开(公告)号：CN110690029B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201911003041.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 武汉海奥电气有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铁芯结构及虚拟气隙式可控电抗器(VCR)，所述工作柱铁芯包括上下两部分，所述上下两部分之间间隔有一段用于降低损耗的虚拟气隙，所述虚拟气隙为填充的低损耗导磁材料；所述可控电抗器具有上述铁芯结构。本发明具有该铁芯结构的虚拟气隙式可控电抗器相较于TCR与MCR具有更低的谐波含量，且涡流损耗和磁滞损耗比MCR更低，经济性更好。
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