公开(公告)号：CN100479147C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510119438.2

申请日：2005-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朴炳柱 ,  伊耶尔·苏布拉曼年 ,  库坦达拉曼·昌德拉塞卡拉

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5252 ,  G11C17/165 ,  G11C2229/763 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10S257/928 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有一个集成电路元件的反熔断器结构以及把该熔断器编程为通状态的方法，该熔断器结构包含第一和第二导体和在两导体之间形成的一电介质层，其中一个导体或二个导体既起着常规反熔断器导体的作用，又起着在把反熔断器改变为通状态时直接加热反熔断器电介质层的作用。

公开(公告)号：CN1812086A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510119438.2

申请日：2005-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朴炳柱 ,  伊耶尔·苏布拉曼年 ,  库坦达拉曼·昌德拉塞卡拉

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5252 ,  G11C17/165 ,  G11C2229/763 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10S257/928 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有一个集成电路元件的反熔断器结构以及把该熔断器编程为通状态的方法，该熔断器结构包含第一和第二导体和在两导体之间形成的一电介质层，其中一个导体或二个导体既起着常规反熔断器导体的作用，又起着在把反熔断器改变为通状态时直接加热反熔断器电介质层的作用。