公开(公告)号：CN100346456C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410094952.0

申请日：2004-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  拉玛·迪瓦卡拉尼 ,  许履尘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明描述一种超薄可测量MOSFET晶体管及制造方法。该晶体管的特征是完全自对准、SOI晶片上抬升的源/漏结，并且显示出低接触电阻、低栅电阻和良好的器件隔离特征。除了传统处理所需要的步骤之外，不需要额外的光刻掩模步骤。该晶体管被STI(浅沟槽隔离)完全“框入”或者包围，在它与SOI晶片上任何其他器件之间提供了内在隔离。在栅区域的外部形成了栅侧壁隔离物，从而比例缩放度唯一地受光刻分辨率限制。

公开(公告)号：CN1641846A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410094952.0

申请日：2004-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  拉玛·迪瓦卡拉尼 ,  许履尘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明描述一种超薄可测量MOSFET晶体管及制造方法。该晶体管的特征是完全自对准、SOI晶片上抬升的源/漏结，并且显示出低接触电阻、低栅电阻和良好的器件隔离特征。除了传统处理所需要的步骤之外，不需要额外的光刻掩模步骤。该晶体管被STI(浅沟槽隔离)完全“框入”或者包围，在它与SOI晶片上任何其它器件之间提供了内在隔离。在栅区域的外部形成了栅侧壁隔离物，从而比例缩放度唯一地受光刻分辨率限制。