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发明公开
使用平面电容器的低损耗行波参量器件审中-实审

公开(公告)号：CN119896082A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380066139.3

申请日：2023-09-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·塞尔瓦纳亚加姆 , C·曼西尼 , D·洛肯-托伊利 , G·吉布森 , K·T·肖恩伯格 , S·凯恩斯

IPC: H10N60/12 , H10N60/80 , H10N60/01 , H10N69/00

Abstract: 一种行波参量器件(TWPD)和制造TWPD的方法，该方法包括在衬底上形成超导结(160)。沟槽通过金属表面蚀刻掉并蚀刻到电介质材料层中。沟槽限定了多个指状部，这些指状部定位在由金属和电介质材料(160)限定的电容器的交叉指型布置中，电介质材料从蚀刻掉的金属表面和电介质材料层保留。

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