液晶高分子及其制备方法、薄膜材料、微流控芯片与设备

    公开(公告)号:CN119192540B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411697370.5

    申请日:2024-11-26

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开一种偶氮苯液晶高分子材料,由偶氮苯液晶高分子材料前驱体与交联剂交联反应后得到,交联反应是偶氮苯液晶高分子材料前驱体侧链上的呋喃基团与交联剂反应,前驱体由CAB单体、CABO单体以及CA单体开环易位聚合反应得到,CAB单体具有式(Ⅰ)所示结构,CABO单体具有式(Ⅱ)所示结构,CA单体具有式(Ⅲ)所示结构,偶氮苯液晶高分子材料具有式(Ⅳ)所示结构:#imgabs0#开环易位聚合反应时,CAB单体、CABO单体以及CA单体的投料摩尔比为x:y:z,x=3,y=1,z的取值范围为0.5‑3。液晶材料取向更加稳定,光致形变能力和循环性能更好。本发明还公开高分子材料制备方法、液晶薄膜材料及制备方法、微流控芯片与设备。

    液晶高分子及其制备方法、薄膜材料、微流控芯片与设备

    公开(公告)号:CN119192540A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411697370.5

    申请日:2024-11-26

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开一种偶氮苯液晶高分子材料,由偶氮苯液晶高分子材料前驱体与交联剂交联反应后得到,交联反应是偶氮苯液晶高分子材料前驱体侧链上的呋喃基团与交联剂反应,前驱体由CAB单体、CABO单体以及CA单体开环易位聚合反应得到,CAB单体具有式(Ⅰ)所示结构,CABO单体具有式(Ⅱ)所示结构,CA单体具有式(Ⅲ)所示结构,偶氮苯液晶高分子材料具有式(Ⅳ)所示结构:#imgabs0#开环易位聚合反应时,CAB单体、CABO单体以及CA单体的投料摩尔比为x:y:z,x=3,y=1,z的取值范围为0.5‑3。液晶材料取向更加稳定,光致形变能力和循环性能更好。本发明还公开高分子材料制备方法、液晶薄膜材料及制备方法、微流控芯片与设备。

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