有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN101080821A

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200580043513.X

    申请日:2005-12-21

    Abstract: 公开了一种有机薄膜晶体管,其包括:有机薄膜,通过栅极绝缘膜形成于该有机薄膜的一个表面上的栅电极、形成于该栅电极的两侧与有机薄膜的一个表面或另一表面接触的源/漏电极、以及布置在该有机表面与栅极绝缘膜之间和/或在有机薄膜与源/漏电极之间的有机硅烷化合物膜。

    π电子共轭的有机硅烷化合物及其合成方法

    公开(公告)号:CN1989142A

    公开(公告)日:2007-06-27

    申请号:CN200580024216.0

    申请日:2005-07-04

    Abstract: 本发明提供一种π电子共轭的有机硅烷化合物及其制备方法,该有机硅烷化合物形成的有机薄膜在抗剥离、取向性、结晶性和导电性方面性能优良。提供以下通式表示的π电子共轭的有机硅烷化合物:R1-SiX1X2X3,式中R1表示有特定单环杂环单元的有机基团;X1至X3是能通过水解产生羟基的基团。制备这种有机硅烷化合物的方法,该方法包括使通式R1-Li(R1与上面相同)表示的化合物或通式R1-MgX5(R1与上面的相同;X5表示卤原子)与通式X4-SiX1X2X3(X1至X3与上面相同;X4表示氢或卤原子或者低级烷氧基)的化合物反应。提供通式Z-(R11)m-SiR12R13R14(Z表示有机基团,该有机基团源自特定的稠合多环杂环化合物;R11表示二价有机基团;m是0至10;R12至R14表示卤原子或烷氧基)表示的π电子共轭的有机硅烷化合物。制备这种有机硅烷化合物的方法,该方法包括:使通式Z-(R11)m-MgX30(Z、R11和m与上面的相同;X30表示卤原子)表示的化合物与通式X31-SiR12R13R14(X31表示氢或卤原子或者烷氧基;R12至R14与上面相同)的化合物反应。

Patent Agency Ranking