公开(公告)号：CN1909259A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610159385.1

申请日：2006-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边信幸 ,  井口缘 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件具有第一导电型半导体层(3、4)、形成在上述第一导电型半导体层上的发光层(5)、形成在上述发光层上的第二导电型半导体层(8)、设置在上述第二导电型半导体层(8)上并且使来自上述发光层(5)的光透过的透过性衬底(9)。上述透过性衬底(9)的载体浓度低于上述第二导电型半导体层(8)的载体浓度。

公开(公告)号：CN101083295A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710128255.6

申请日：2007-04-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口缘 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的半导体层；在所述第一导电类型的半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电类型的半导体层；以及在所述第二导电类型的半导体层上的透光性半导体层。透光性半导体层透过来自发光层的光。所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体层的载流子浓度。

公开(公告)号：CN100533793C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710128255.6

申请日：2007-04-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口缘 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的半导体层；在所述第一导电类型的半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电类型的半导体层；以及在所述第二导电类型的半导体层上的透光性半导体层。透光性半导体层透过来自发光层的光。所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体层的载流子浓度。

公开(公告)号：CN100533791C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710084941.8

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  井口缘 ,  渡边信幸 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：p型GaP衬底(12)；层叠于该p型GaP衬底(12)上的p型GaP接触层(13)；p型AlInP第二包层(14)；p型AlGaInP活性层(15)；n型AlInP第一包层(16)；以及n型AlGaAs电流扩散层(17)。p型GaP衬底(12)的侧面全部由切割刀片加工成粗面状。该发光二极管辉度高，其不依赖于材料、面方位，而在任何情况下都能够进行粗面化，能够防止产生特性不良。

公开(公告)号：CN100429796C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200610159385.1

申请日：2006-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边信幸 ,  井口缘 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件具有第一导电型半导体层(3、4)、形成在上述第一导电型半导体层上的发光层(5)、形成在上述发光层上的第二导电型半导体层(8)、设置在上述第二导电型半导体层(8)上并且使来自上述发光层(5)的光透过的透过性衬底(9)。上述透过性衬底(9)的载体浓度低于上述第二导电型半导体层(8)的载体浓度。

公开(公告)号：CN101026218A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710084941.8

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  井口缘 ,  渡边信幸 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：p型GaP衬底(12)；层叠于该p型GaP衬底(12)上的p型GaP接触层(13)；p型AlInP第二包层(14)；p型AlGaInP活性层(15)；n型AlInP第一包层(16)；以及n型AlGaAs电流扩散层(17)。p型GaP衬底(12)的侧面全部由切割刀片加工成粗面状。该发光二极管辉度高，其不依赖于材料、面方位，而在任何情况下都能够进行粗面化，能够防止产生特性不良。