公开(公告)号：CN103208573B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310006955.3

申请日：2013-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤智久 ,  森淳

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了设有可用简易的方法制造且不易退化的电极的半导体发光元件及电极成膜方法。本发明的半导体发光元件（1）包括具有被供电而发光的发光层（12）的半导体层叠结构（10~14）和在半导体层叠结构（10~14）上形成的电极（21、22）。电极（21、22）包括将发光层（12）出射的光进行反射的反射膜（2b）、在反射膜（2b）上方和侧面形成的阻挡膜（2d）和仅在阻挡膜（2d）的上面形成的焊盘膜（2e）。

公开(公告)号：CN103208573A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310006955.3

申请日：2013-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤智久 ,  森淳

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了设有可用简易的方法制造且不易退化的电极的半导体发光元件及电极成膜方法。本发明的半导体发光元件（1）包括具有被供电而发光的发光层（12）的半导体层叠结构（10~14）和在半导体层叠结构（10~14）上形成的电极（21、22）。电极（21、22）包括将发光层（12）出射的光进行反射的反射膜（2b）、在反射膜（2b）上方和侧面形成的阻挡膜（2d）和仅在阻挡膜（2d）的上面形成的焊盘膜（2e）。